微机械MEMS 陀螺仪原理：目前，MEMS 陀螺仪主要以振动式为主，振动式陀螺仪主要由支撑框架、谐振质量块，以及激励和检测单元几个部分构成。驱动与检测方式以静电驱动、电容检测最为常见。检测原理是利用柯氏效应（Coriolis）把各轴的角速率转换成谐振质量块的位移，从而引起检测电容的变化，通过电容变化量可以换算出角速率或者角加速度。以一个单轴 MEMS 陀螺仪为例，探讨最简单的工作原理（图 4）。两个正在运动的质量块向相反方向做连续运动，如蓝色箭头所示。只要施加一个平行于纸平面的角速率，如红色箭头所示，就会产生一个与质量块运动方向垂直的柯里奥利力，如黄色箭头所示。产生的柯里奥利力使质量块发生位移，位移大小与所施加的角速率大小成正比。这个位移将会在质量块的梳齿电极和固定电极之间引起电容变化，因此，在 MEMS 陀螺仪输入部分施加的角速率被转化成一个专用电路可以检测的电参量。图 4 MEMS 振动式陀螺仪原理分析和评价陀螺的性能，需要制定一系列的衡量准则，为其应用提供一定的参考依据。总体而言，表征陀螺性能的主要指标有: 标度因数稳定性、漂移稳定性、随机游走、量程和成本等等。三、主流 MEMS 陀螺仪厂商工艺：3.1 ADI iMEMS 制造工艺：美国 ADI 公司的 MEMS 惯性传感器性能达到军用战术级别，其著名的 iMEMS 工艺是 MEMS和标准 IC 工艺实现单片混合集成的成功典范，制造有 ADXL 系列加速度计、ADXRS 系列陀螺仪等产品。如图 5 所示，是 ADI 的 ADXRS150 陀螺仪。图 5 ADXRS150 陀螺仪ADI iMEMS 是一种 Interleaved-CMOS工艺，如图 6 所示,其特点是在 CMOS 制造流程过程中插入 MEMS 器件的制作工艺，这些 MEMS 工艺不会影响到 CMOS 电路的性能。iMEMS 制造工艺的基本步骤是：1、首先是从 CMOS 工艺起始，制作前段工艺的 MOS 晶体管，包括 N 阱、MOS 管的源极、漏极和发射极，并且制作与 MEMS 微结构连接的 n+区域；2、沉积氮化硅和BPSG 保护电路制作区域，但这些薄膜要从 MEMS 结构制作区域去除；3、在 MEMS 结构区域，沉积和刻蚀钝化层氮化硅、1.6um 厚的牺牲层氧化硅以及 2um PloySi 薄膜，PolySi 采用 P 注入掺杂，并且退火获得较小的应力，以作为 MEMS 器件的结构层；4、沉积氧化硅保护 MEMS 区域，并且继续 CMOS 后段的金属互连制作步骤；5、最后就是释放牺牲层，获得活动的 MEMS 结构，测试封装。现在新的报道中，ADI iM...
