教你如何调整DDR内存参数

教你如何调整DDR 内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊 来源：OCER.net 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU 频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为 “520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后 5 个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS 中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL 全称 CAS Latency ，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。 从图中，我们能够直观的看到CL 值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M 次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS 与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS 到CAS 的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为 RAS 转换准备时间。这也就是为什么 RAS to CAS 参数对性能影响要大于 RAS Precharge 的原因。 Tras 内存预充电和有效指令之间的时间差。对于DDR 内存而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS 中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。 总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAS to CAS 决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RAS Precharge 则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。Tras 控制了内存预充...