单项选择题:(每一道题1 分) 第1 章 原子结构与键合 1
高分子材料中的C-H 化学键属于
(A)氢键 (B)离子键 (C)共价键 2
属于物理键的是
(A)共价键 (B)范德华力 (C)氢键 3
化学键中通过共用电子对形成的是
(A)共价键 (B)离子键 (C)金属键 第2 章 固体结构 4
面心立方晶体的致密度为 C
(A)100% (B)68% (C)74% 5
体心立方晶体的致密度为 B
(A)100% (B)68% (C)74% 6
密排六方晶体的致密度为 C
(A)100% (B)68% (C)74% 7
以下不具有多晶型性的金属是
(A)铜 (B)锰 (C)铁 8
面心立方晶体的孪晶面是
(A){112} (B){110} (C){111} 9
fcc、bcc、hcp 三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是
(A)fcc (B)bcc (C)hcp 10
在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式
(A)复合强化 (B)弥散强化 (C)固溶强化 11
与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是
(A)氮 (B)碳 (C)硼 12
以下属于正常价化合物的是
(A)Mg2Pb (B)Cu5Sn (C)Fe3C 第3 章 晶体缺陷 13
刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系
(A)垂直 (B)平行 (C)交叉 14
能进行攀移的位错必然是
(A)刃型位错 (B)螺型位错 (C)混合位错 15
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为
(A)肖特基缺陷 (B)弗仑克尔缺陷 (C)线缺陷 16
原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为 (A)肖脱基缺陷 (B)Frank 缺陷 (C)堆垛层错 17
以下材料中既存 在晶界 、又存 在相 界 的是