第三部分 习题与解答 习题 1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在 N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于 P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以 P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在 N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为 P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(IITVVsD表示。 式中，ID 为流过 PN 结的电流；Is为 PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与 I 的单位一致；V 为外加电压； VT=kT/q，为温度的电压当量（其单位 与 V 的 单 位 一致 ）， 其 中 玻 尔 兹 曼 常 数 k.J / K231 38 10， 电 子 电 量 )(C1060217731.1q19库伦，则)V(2.11594TVT ，在常温（T=300K ）下，VT=25.875mV=26mV。当外加正向电压，即V 为正值，且V 比VT 大几倍时， 1eTVV，于是TVVs eII，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比VT 大几倍时， 1eTVV ，于是sII，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1.1.1 所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1 特性曲线（实线部分）可见：PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 2、什么是PN 结的反向击穿？PN 结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：“PN” 结的反向击穿特性...
