第三部分 习题与解答 习题 1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当 PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。 3、在 N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。 二.判断题 1、由于 P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以 P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。( × ) 2、在 N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为 P 型半导体。( √ ) 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(× ) 4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。( × ) 5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。( √ ) 6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。( × ) 7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(× ) 三.简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点? 答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e(IITVVsD表示。 式中,ID 为流过 PN 结的电流;Is为 PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与 I 的单位一致;V 为外加电压; VT=kT/q,为温度的电压当量(其单位 与 V 的 单 位 一致 ), 其 中 玻 尔 兹 曼 常 数 k.J / K231 38 10, 电 子 电 量 )(C1060217731.1q19库伦,则)V(2.11594TVT ,在常温(T=300K )下,VT=25.875mV=26mV。当外加正向电压,即V 为正值,且V 比VT 大几倍时, 1eTVV,于是TVVs eII,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比VT 大几倍时, 1eTVV ,于是sII,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示,如图1.1.1 所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1 特性曲线(实线部分)可见:PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。 2、什么是PN 结的反向击穿?PN 结的反向击穿有哪几种类型?各有何特点? 答:“PN” 结的反向击穿特性...