试题一答案 一、1：4； 2：O2-离子做面心立方密堆积，Na+填全部四面体空隙； 3：=4CN O2-=8 [NaO4][ONa8]； 4：O2-电价饱和，因为O2-的电价=（Na+的电价/Na+的配位数）×O2的配位数； 5： 二、1：Al4[Si4O10](OH)8； 2：单网层状结构； 3：一层硅氧层一层水铝石层且沿 C 轴方向堆积； 4：层内是共价键，层间是氢键； 5：片状微晶解理。 三、1：点缺陷，线缺陷，面缺陷； 2：由低浓度向高浓度的扩散； 3：坯体间颗粒重排，接触处产生键合，大气孔消失，但固-气总表面积变化不大； 4：按硅氧比值分类或按硅氧聚和体的大小分类； 5：表面能的降低，流动传质、扩散传质、气相传质和溶解-沉淀传质； 6：随自由能的变化而发生的相的结构的变化，一级相变、二级相变和三级相变。 四、 1：O←→VNa ′+VCl˙ 2：AgAg→Agi˙+VAg′ 3：3TiO23TiNb˙+VNb˙+6OO2TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0 Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x 4：NaClNaCa′+ClCl+VCl˙ 五、一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能，二是通过吸附来降低表面能。 1：t=195h 2：t=68h 七、当O/Si由2→4 时，熔体中负离子团的堆积形式由三维架状转化为孤立的岛状，负离子团的聚合度相应 的降至最低。一般情况下，熔体中负离子团的聚合度越高，特别是形成三维架状的空间网络时，这些大的聚 合离子团位移、转动、重排都比较困难，故质点不易调整成规则排列的晶体结构，易形成玻璃。熔体中负离 子团的对称性越好，转变成晶体越容易，则形成玻璃愈难，反之亦然。 八、晶界上质点排列结构不同于内部，较晶体内疏松，原子排列混乱，存在着许多空位、位错、键变形等缺 陷，使之处于应力畸变状态，具有较高能量，质点在晶界迁移所需活化能较晶内为小，扩散系数为大。 九、二次再结晶出现后，由于个别晶粒异常长大，使气孔不能排除，坯体不在致密，加之大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯 体易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。工艺上常采用引入适当的添加剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再结晶 的发生。 十、 P R S Z ωA 20 10 45 5 ωB 10 60 45 85 ωC 70 30 10 10 十一、略 试题二答案 一、(1)1、（010）（111） [111][101]；(4分) 3、1；Ti4+添八面体空隙，八面体空隙利用率 1/4，四八面体空隙全；(3分) 4、否，因为 Ti4+和 O2-间没有明显的...
