电力电子技术复习题1 第1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共 发射 极接法 时的输 出 特性中的三个区域有对应关系，其 中前 者 的截止区对应后 者 的_截止区_、前 者 的饱 和区对应后 者 的__放 大区__、前 者 的非 饱 和区对应后 者 的_饱 和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻 具 有__正__温 度 系数。 15.IGBT 的开启 电压 UGE（th）随 温 度 升 高而_略 有下降 __，开关速 度 __小于__电力MOSFET 。 16.按照 驱动电路加在电力电子器件控制端 和公 共 端 之 间 的性质 ，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降 在1/2 或 1/3 额 定 电流以 下区段 具 有__负 ___温 度 系数， 在1/2 或 1/3 额 定 电流以 上区段 具 有__正___温 度 系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFE...
