1 南通大学 电气工程学院 电力电子技术 题 库 2 第二章 电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A 。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V 。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（ √ ） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（ × ） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（ × ） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场 效应晶体管和绝缘 栅 极双 极型晶体管则属电压驱动型开关管。（ √ ） 8、IGBT 相 比 MOSFET，其通态电阻 较 大，因而导通损耗也 较 大。（ × ） 9、整 流二级管、晶闸管、双 向晶闸管及 可关断晶闸管均 属半 控型器件。（ × ） 10、导致 开关管损坏 的原 因可能有过流、过压、过热 或驱动电路故 障 等。（ √ ） 三 、选 择 题 1、下 列 元 器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半 控型。 A、普 通晶闸管 B、整 流二极管 C、逆 导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝 缘 栅 场 效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双 向晶闸管 H、肖 特基二极管I、可关断晶闸管 J、绝 缘 栅 极双 极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静 电感 应晶闸管 M、静 电感 应晶体管 2、下 列 器件中，（ c ）最 适 合用在小功率，高 开关频 率的变 换 器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采 用的隔 离...
