电子技术基础练习题 第一章 半导体器件 1.1. PN 结正向偏置电源应该怎么连接？PN 结反向电流受什么因素影响很大？ 答：P 区接电位高端（电源正极），N 区接电位低端（电源负极）。反向电流受温度和光照的影响很大。 1.2.晶体三极管发射极和集电极可以调换使用吗？答：不能调换，因为发射区和集电区结构是不同的。 1.3.有二个三极管，一个管子β =50，ICEO=0.5μ A，另一个管子β =150，ICEO=10μ A，其它参数相同，选用哪个管 子比较好？答：选 A管，因为其反向电流小，稳定性好。 1.4.使用三极管时如果（1）集电极电流超过 ICM；（2）集电极功耗超过 PCM；（3）集射间电压超过 U（BR）CEO； 可能会发生什么情况？答：（1）会使β 值太小；（2）可能会使管子烧坏；（3）会使集电结击穿。 *1.5.请查出二极管 2CZ11B和晶体管 3DG6B的主要参数。 1.6.分别从偏置情况、集电极电流、管压降等方面说明晶体三极管饱和、放大、截止三种状态的特点。 答：饱和状态—发射结正偏，集电结正偏；集电极电流大；管压降 UCE≈0。放大状态—发射结正偏，集电结反偏；集电极电流随基极电流变化（ic=β iB）;管压降在 0 至 VCC 间可变。截止状态—发射结反偏，集电结反偏；集电极电流≈0；管压降等于直流电源电压 VCC 。 1.7.在习题 1.7 图中，E=5V，u i=10sinω t V,二极管正向压降可以忽略不计，试分别画出输出电压 u o 的波形。 习题 1.7 图 1.8.已知三极管处于放大状态，并测得三个管脚对地电位分别为：A管：V1=10V，V2=3V，V3=3.7V； B管：V1=0V，V2=6V，V3=5.8V；C管：V1=-10V，V2=-5V，V3=-5.3V；D管：V1=4V，V2=4.2V，V3=10V。试判断每只管子的类型、材料及电极。答：A—NPN硅管，1集 2射 3基；B—PNP锗管，1集 2射，3基；C—PNP锗管，1集 2射 3基 D—NPN锗管，1射 2基 3集。 *1.9.MOS管有什么用途？使用 MOS管时要特别注意什么？答：作开关或者放大器件；栅源之间不能开路。 第二章 基本放大器 2.1. 三极管放大电路中，基极电流增大，集电极电流跟着增大，但集电极电流达到某值后不能再增大，这时三极管进入什么状态？这时小功率三极管 UCE 约为多少？答：饱和状态；UCE 约为 0. 2.2. NPN 三极管放大电路，基极电流减小，集电极电流跟着减小，最后减小到多少？（会减小成负值吗？），集电极电流最小时，管子是何状态？这时UCE 约为多少？答：减小到 ICEO（近似为 0）；（不会为...
