电子技术基础试题库(1~6章)VIP专享

1 电子技术基础第一学期试题库（1~6 章） 一、填空题：（每空 1 分） 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 ， 和 三类。 答：导体、半导体、绝缘体。 2、半导体具有 特性， 特性和 特性。 答：热敏、光敏、掺杂。 3、PN 结具有 特性，即加正向电压时 ，加反向电压时 。 答：单向导电、导通、截止。 4、硅二极管导通时的正向管压降约 v,锗二极管导通时的管压降约 v。 答： 0.7V、0.3V。 （中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是 和 。 答：最大整流电流、最高反向工作电压。 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常 锗二极管的反向饱和 电流，所以硅二极管的热稳定性 。 答：小于、较好。 6、发光二极管将 信号转换成 信号；光电二极管将 信号转 换成 信号。 答：电、光、光、电。 7、三极管有三个电极，即 极、 极和 极。 答：集电极、基极、发射极。 8、半导体三极管有 型和 型。 答： NPN、PNP。 （中）9、三极管基极电流 IB 的微小变化，将会引起集电极电流 IC 的较大变化，这说明三极管具有 作用。 答：电流放大。 10、硅三极管发射结的死区电压约 v，锗三极管的死区电压约 v。晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为 v，锗管约为 v。 答： 0 .5、0.2、0.7、0.3。 11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是 。 答： IC=βIB。 （中）25、三极管的穿透电流 ICEO 随温度的升高而 ，硅三极管的穿透电流比锗三极管的 。 答：增加、小。 12、三极管的极限参数分别是 ， ，和 。 答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。 （中）13、工作在放大状态的三极管可作为 器件；工作在截止和饱和状态的三极管 可作为 器件。 答：放大、开关。 14、放大电路按三极管连接方式可分为 ， 和 。 答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。 15、放大电路设置静态工作点的目的是 。 答：使放大器能不失真地放大交流信号。 16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指 ， 和 。 2 答： IBQ、ICQ、UCEQ。 17、放大电路工作在动态时，,,CEBCuii 都是由 分量和 分量两部分组成。 答：直流、交流。 18、在共射极放大电路中，输出电压 u o 和输入电压 u i 相位 。 答：相反。 （中）35、画放大电路的直流通路时，把 看成开路；画放大电路的交流...