学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 9页 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010 年 元月 18 日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人签名 得分 签名 一、填空题: （共 16 分，每空 1 分） 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流子的散射作用不可忽略。 2. 处在饱和电离区的 N 型 Si 半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻率会 上升/增大 。 3. 电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。 4. 随温度的增加，P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的 ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7. 相对 Si 而言，In Sb 是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较 高/大 。 8. 掺金工艺 通常用于制造高频器件。金掺入半导体 Si 中是一种 深能级 杂质，通常起 复合 中心的作用，使得载流子寿命减小。 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。 10. 某 N 型 Si 半导体的功函数 WS 是 4.3eV，金属 Al 的功函数 Wm 是 4.2 eV， 该半导得 分 学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 2 页 共 9 页 体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/Ei 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为 开启电压/阈值电压 。 1 3 . 金属和 n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变...
