第二章 PN 结 填空题 1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度 pp0与平衡少子浓度 np0分别为（ ）和（ ）。 2、在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势 Vbi 就越（ ），反向饱和电流 I0就越（ ），势垒电容 CT 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。 5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。 6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 np 与外加电压 V 之间的关系可表示为（ ）。若 P 型区的掺杂浓度 NA=1.5×1017cm-3，外加电压 V= 0.52V，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 np 为（ ）。 9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。 10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。 12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（ ）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在 PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主；当电压较高时，以（ ）电流为主。 15、薄基区二极管是指 PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（ ）。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远小于该区的（ ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（ ）多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边界...
