第二章 PN 结 填空题 1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 NA=1
5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度 pp0与平衡少子浓度 np0分别为（ ）和（ ）
2、在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷
内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）区
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）
由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势 Vbi 就越（ ），反向饱和电流 I0就越（ ），势垒电容 CT 就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）
5、硅突变结内建电势 Vbi 可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特
6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）
7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）
8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 np 与外加电压 V 之间的关系可表示为（ ）
若 P 型区的掺杂浓度 NA=1
5×1017cm-3，外加电压 V= 0
52V，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 np 为（ ）
9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）
10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）
12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（ ）
每经过一个扩散长度的距
