电池片各工序影响因素及异常情况

一次清洗影响因素 1.温度 温度过高，首先就是 IPA 不好控制，温度一高，IPA 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了 PN 结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。 2.时间 金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间。 3.IPA 1.协助氢气的释放。2.减弱NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯NaOH 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，IPA 明显减弱NaOH 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于 1。可控程度：根据首次配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。 4.NaOH 形成金字塔绒面。NaOH 浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受NaOH 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随 NaOH 浓度变化比较显著，浓度高的 NaOH 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。NaOH 浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与IPA 类似，控制精度不高。 5.Na2SiO3 SI 和NaOH 反应生产的 Na2SiO3 和加入的 Na2SiO3 能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈,变的平缓。Na2SiO3 使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点 Na2SiO3多的时候要及时的排掉，Na2SiO3 导热性差，会影响反应,溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。可控程度：很难控制。4#酸洗 HCL 去除硅片表面的金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与多种金属离子形成可溶与水的络合物。6#酸洗 HF去除硅片表面氧化层，SiO2+6HF=H2[siF6]+2H2O。 控制点 1．减薄量 定义：硅片制绒前后的前后重量差。控制范围单晶125，硅片厚度在200±25 微米以上，减薄量在0.5±0.2g；硅片厚度在200±25 微米以上，减薄量在0.4±0.2g。单晶156，首篮减薄量在0.7±0.2g；以后减薄量在0.6±0.2g。 2．绒面 判断标准：成核密度高，大小适当，均匀。控制范围：单晶...