电阻的使用要考虑哪些性能参数 ●电阻 容差：通用场合选用1％精读，当有特殊要求比如输出电压精度要求时选用更小的 选择比率：当阻值不是很重要时，比如分压器，以减少电路中不同阻值种类数目以实现大批量采购节约成 本 最大电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要注意 温度系数：大多数电阻都有很小的温度系数（50～250ppm 每度），电阻发热时，线绕电阻的温度系数会有 较大变化 额定功率：一般电阻功耗为额定值一半 脉冲功率：在较短时间内，线绕电阻可以承受远大于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不行 ●电容 铝电解电容 大容量小体积 钽电容 中等电容量 陶瓷电容 定时与信号电路 多层陶瓷电容 低 ESR 场合 塑胶电容 高 dv /dt 场合 容差：典型值正负 20％，电解电容还要差好多 ESR：等效串联电阻，设计大容量滤波器时 ESR 比容量重要 老化：“电源寿命 1000h” 实际就是对电解电容电容而言，如果把电源放到实际温度条件或者工作几年就要 选择 2000h 到 5000h ●肖特基二极管 常用在整流器中，正向导通电压小，没有反向恢复时间 ●整流二极管 反向恢复：二极管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间，这对变换器的效 率非常不利 但并不是越快越好，会产生快速的电压电流尖锋 ●晶体管（BJT） 脉冲电流：一般 BJT 上不会提到脉冲电流（除非专为电源设计），取额定直流电流的两倍 放大倍数：一般假定为 10，不管手册数据如何 ●晶体管（MOSFET） 功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损 导通损耗：当 MOSFET 全部导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗大小取决于管中电流大小，而且电阻 随温升增大 门极充电损耗：由于 MOSFET 有一个相当大的等效门极电容引起 开关导通损：在开通或关断转换的任何时候，晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗 最大门极电压：通常 20V 电阻型号命名方法 分类及主要特性参数等： 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω 、KΩ 、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃...
