电流型PW M 控制芯片 SM8013B 一、概述： SM8013B 是一个高性能的电流型PWM 控制芯片，通过驱动外部高压MOSFET 管，组成大功率的开关电源。它有很小的启动电流和工作电流，保证较低的待机功耗和很高的工作效率。通过调整外围器件，改变PWM 工作频率，使之满足各种客户的需要。空载或者轻载的情况下，芯片会降低PWM 工作频率（>22KHz），从而进一步降低开关损耗。 SM8013B 还拥有性能优异的过电流保护（OCP）、过载保护（OLP）、芯片VDD 过压嵌位和欠压锁定功能（UVLO）。同时芯片驱动输出最大电压保持在18V，保证外部高压MOSFET 管安全可靠的工作。内部抖频功能，保证电源系统有很好的EMI 性能。 二、特色说明： 1. 外围电路元件少，成本低 2. 很低的待机功耗（AC240V，功耗小于0.3W） 3. 过流保护、过载保护 4. 优异的芯片过压嵌位和欠压锁定功能(UVLO) 5. 封装格式： SOT23-6 、SOP8、 DIP8 6. 很小的启动电流（5μA）和很小的工作电流（2mA） 7. 通过调整外围电阻，改变开关频率。 8. 驱动输出电压小于18V，保护高压MOSFET 管 三、应用： 1. 各种电池充电器，适配器等 2. DVD、VCD、机顶盒等各种电源 3. 通用离线式开关电源系统 电流型PW M 控制芯片 SM8013B 四、内部功能简单框图： 图一：芯片内部功能框图。 五、封装示意图 图二 共 1 5 页2电流型PW M 控制芯片 SM8013B 共15 页 3六、管脚说明 名称 功能说明 VDD 芯片电源 GND 芯片地 FB 反馈输入脚。PWM 占空比变化取决于FB 和SENSE 脚的输入电压 RI PWM振荡频率设置脚。通过调节连接在RI 和GND 之间的电阻来改变PWM 频率。 SENSE 电流检测输入脚。 GATE 标识电极的门驱动电源MOSFET 的输出 七、元件参数 极限参数（TA= 25℃） 符号 说明 范围 单位 VDD 芯片工作电压 <23 V VDDclamp芯片嵌位电压 VDD＋0.1 V IDDclamp芯片嵌位电流 10 mA VFBFB 输入电压 －0.3——7 V VRIRI 电压 －0.3——2 V Tj结温 -20——150 ℃ Tstg存储温度 -55——160 ℃ 八、电气工作参数 （除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃） 范围 符号 说明 条件 最小 典型 最大 单位 芯片工作电压部分 IDDstart芯片启动电流 VDD＝12.5V，RI＝100KΩ 5 10 μA IDDop芯片工作电流 VDD＝16V，RI＝100 KΩ 2.8 mA UVLO(ON)VDD 低压锁定电压 7.6 8 8.6 V UVLO(OFF)VDD 低压锁定恢...
