第1章二极管答案

第一章答案 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度DN= 21410cm3 。 （1）求室温 300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为 P 型或 N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度AN = 31410cm3，重复（1）。 （3）若DN=AN =1510cm3 ,，重复（1）。 （4）若DN=1610cm3 ，AN =1410cm3 ，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值in =5.11010 cm3 ，施主杂质DN= 21410cm3 >> in =5.11010 cm3 ，所以可得多子自由浓度为 0nDN= 21410cm3 少子空穴浓度 0p =02nni=125.1610 cm3 该半导体为 N 型。 （2）因为DANN=14101cm3 >>in ，所以多子空穴浓度 0p14101cm3 少子电子浓度 0n=02pni=25.2610 cm3 该半导体为 P 型。 （3）因为AN =DN,所以 0p = 0n= in =5.11010cm3 该半导体为本征半导体。 （4）因为ADNN=10161014 =9910 14 （cm3 ）>>in ，所以，多子自由电子浓度 0n=991410 cm3 空穴浓度 0p =02nni=142101099)105.1(=2.2710 4 （cm3 ） 该导体为 N 型。 1.2 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流SI 分别为1A 和0.5pA。如果将此两个二极管串联连接，有 1mA 的正向电流流过，试问他们的结电压各为多少？ 解：T=300K 时，热电压 TU =26mV 二极管正偏时，I=SI  exp)UU(TD 对于硅管：DU=TU lnSII=556.4mV 对于锗管：DU=TU lnSII=179.6mV 1.3 二极管电路如图 1.3 所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻DR 和交流电阻Dr 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图 1.3 的回路电流，即 DI=A1007.06 =53mA (2) DR =AV310537.0=13.2 Dr =DTIU=AV3310531026=0.49 1.4 二极管电路如题图 1.4 所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载LR 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(onDUV，试问流过负载LR 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(onDUV， 20onDr，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ + 6V D R 100 图 1.3 （5）增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交...