晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A。晶圆封装测试工序一、 IC 检测 1. 缺陷检查 Defect Inspection 2。 DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement） 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测. 二、 IC 封装 1。 构装（Packaging） IC 构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（ die saw）、黏晶（die mount / die bond)、焊线（wire bond)、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating)及检验（inspection）等。 (1） 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die)切割分离。举例来说：以0.2 微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避开了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞. (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine）内,以送至下一制程进行焊线. (3) 焊线（wire bond) IC 构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称 IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避开电路受到机械性刮伤或是高温破坏.最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin）,称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 （4) 封胶（mold）封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上,再以树脂充填并待硬化。 （5） 剪切/成形(trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejun...