2025年微电子工艺面试问答

EPI 外延 PR 光刻 CMP 化学机械抛光 DIF 扩散 ETCH 刻蚀 CVD 化学气象沉积litho 就是光刻D——drain 漏极 S——source 源极 G——gate 栅极YE——良率（提高）工程师PIE——工艺整合工程师CMP——chemical mechanical polish 化学机械抛光PCM——process control monitor 工程控制监测WAT——wafer acceptance testing 芯片电性（验收）测试IC——integrated circuit 集成电路CMOS——complementary metal oxide semiconductor 互补金属氧化物半导体MOS FET——Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 金氧半场效晶体管N 型——negative typeP 型——positive typeVT——阈值电压，一般将传播特性曲线中输出电压随输入电压变化而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压.也称为启动电压。当器件由耗尽向反型转变时，要经历一种 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处在临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是 MOSFET 的重要参数之一VDS —— 最大漏-源电压 VGS —— 最大栅源电压 ID—— 持续漏电流 IDM ——脉冲漏极电流 PD ——容许沟道总功耗VB——反向峰值击穿电压RC——电容电阻1.PN 结、MOS 管这种简单器件原理 特性曲线理解一下？——PN 结加正向电压（外电场和内电场相反）时，具有较大的正向扩散电流，展现低电阻， PN 结导通；PN 结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，展现高电阻， PN 结截止。由此可以得出结论：PN 结具有单向导电性。硅 0.7V 锗 0.3V 。——2.wafer？硅片的流程？3.NMOS 管加啥电流是 read 的状态？4.二极管 V-A 特性曲线？5.怎么测 VT？——drain 加工作电压 source 接地，测 Ids 仿佛 到一种值了就是 VT。MOS 的阈值电压是一种范围值的。一般状况下与耐压有关，例如几十 V 的耐压一般为 1-2V,200v 以内的一般为 2-4V，200V 以上的一般为 3-5V。当然还要考虑温度的影响，伴随温度升高阈值电压会减少。这个还要与详细的工作状态有关。因此你在使用 MOS 管的时候，一定要看该型号 MOS 的 DATASHEET，才能用好。6.gate 下厚度与 VT 关系？——栅氧厚度的减少，阈值电压减小，漏电流增大7.MOS 管啥用？——用于放大电路或开关电路。提供一种稳定的电压。8.NMOS 是长在 N 型区还是 P 型区？——P 衬底上