德州科技职业学院机电系 14 级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题 号一 二 三 四合 计分 数阅卷人得分 一、选择（每题 1.5 分，共 60 分）1、晶闸管内部有（ )个 PN 结.A、1 B、2 C、3 D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ )越好.A、越大 B、越小 C、不变 D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、瞬时值4、双向晶闸管是用于沟通电路中的，其外部有( )个电极.A、一个 B、两个 C、三个 D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示 IGBT 器件电路符号的是（ )6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ )A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ）A、IPM B、MOSFET C、IGBT D、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采纳( )A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力晶体管 D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管 MOSFET 适于在（ ）条件下工作A、直流 B、低频 C、中频 D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应( )A、在栅极加正电压 B、在集电极加正电压 C、在栅极加负电压 D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（ )电力场效应管A、稍高于 B、低于 C、远高于 D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为( )A、700V B、750V C、800V D、850V16、下列电力电子器件中，( ）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管 B、可关断晶闸管 C、电力晶体管 D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（ ）A、一定导通 B、超过死区电压才导通 C、超过 0.3V 才导通 D、超过 0。7V 才导通18、下列电力半导体器件电路符号中,表示 GTO 器件电路符号的是（ ）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示 GTR 器件电路符号的是( ）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示 MOSFET 器件电路符号的是（ ）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（ )工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区...
