MOSFET驱动模块管理论文

MOSFET 驱动模块管理论文 摘要：SKHI22A/B 是德国西门康（SEMIKRON）公司推出的一种新型的 IGBT/MOSFET 的驱动模块。文章介绍了 SKHI22A/B 的主要结构特点和功能，给出了它的具体应用电路。 关键词：IGBT；驱动模块；SKHI22A/B １概述 ＳＫＨＩ系列驱动模块是德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司推出的一种新型ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ驱动模块。ＳＫＨＩ系列驱动模块主要有以下特点： ●仅需一个不需隔离的＋１５Ｖ电源供电 ●抗ｄＶ／ｄｔ能力可以达到７５ｋＶ／μ ｓ ●控制电路和ＩＧＢＴ主电路之间的隔离电压可以达到４ｋＶ ●输出峰值电流可以达到３０Ａ ●同一桥臂上下开关管驱动信号具有互锁功能，可以防止两个开关管的贯穿导通 ●死区时间、ＶＣＥ的监控、ＲＧＯＮ／ＯＦＦ可以分别调节，因而可以对不同用户的特别需求进行优化 ●可以输出差错信号以通知控制系统 ●具有过流、欠压保护功能。 下面主要以ＳＫＨＩ２２Ａ为例，对ＳＫＨＩ系列驱动模块进行介绍。 ２内部结构及原理 ＳＫＨＩ２２Ａ／Ｂ引脚功能排列如表１所列。图１所示是ＳＫＨＩ系列驱动器的内部电路原理图。 表 1SKHI22A 的引脚功能 引脚号引脚名称引脚说明 P14GND/0V 相应输入信号的地 P13Vs 电源+15V±4% P12VIN1 上开关管的输入开关信号 1，+5V 逻辑（对于SKHI22A/21A 为+15V 逻辑） P11FREE 空置 P10ERROR 差错输出，低有效，集电极开路输出，最大为30V/15mA P9TDT2 通过接地或接 Vs 数字调节桥臂上下开关管的死区时间 P8VIN2 下 管 的 输 入 开 关 信 号 1 ， +5V 逻 辑 （ 对 于SKHI22A/21A 为+15V 逻辑） P7GND/0V 相应输入信号的地 S20VCE1 接 IGBT1 的集电极（上开关管） S15CCE1 通过外接 RCE 和 CCE 来调节参考电压 S14GON1 接 RON 到 IBGT1 的基极 S13GOFF1 接 ROFF 到 IBGT1 的基极 S12E1 接 IGBT1 的发射极（上开关管） S1VCE2 接 IGBT2 的集电极（下开关管） S6CCE2 通过外扫 RCE 和 CCE 来调节参考电压 S7GON2 接 RON 到 IGBT2 的基极 S8GOFF2 接 ROFF 到 IGBT2 的基极 S9E2 接 IGBT2 的发送极（下开关管） ２．１ＳＫＨＩ２２Ａ／Ｂ的脉冲整形电路 ＳＫＨＩ中的脉冲整形电路的作用是在控制ＩＢＧＴ的脉冲信号输入后，用短脉冲抑制电路对脉冲宽度小于５００ｎｓ的开关脉冲进行抑制，以使其不能传递到ＩＧＢＴ，这样可...