(完整word版)半导体器件基础教案

【学习目标】1. 了解 PN 结的单向导电性。2. 熟悉二极管的伏安特性3. 了解开关二极管、整流二极管、稳压二极管的基本用途。4. 掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念.5. 熟悉三极管共发射极电流放大系数 0 的含义。6. 熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法.7. 熟悉三极管的主要参数。8. 熟悉 M0S 场效应管的分类及符号.9. 熟悉增强型 NMOS 管的特性曲线.10. 了解 M0S 场效应管的主要参数。【内容提要】本章介绍三种常用的半导体器件，即半导体二极管、三极管及 M0S 场效应管。重点介绍这些器件的外部特性曲线、主要参数及电路实例。一、教学内容（一）半导体二极管(完整 word 版)半导体器件基础教案1.PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性描述了 PN 结两端电压 u 和流过 PN 结电流 i 之间的关系。图是 PN 结的伏一安特性曲线。可以看出：2）用作开关电路在图 2。2（a）所示的二极管电路中，假设二极管为理想二极管。可以知道，当输入信号的正半周时，二极管导通，二极管可以看作只有很小（》0）压降的闭合开关，负半周时，二极管截止，i。》0,二极管可以看作断开的开关。在数字电路中，二极管常被当做开关使用。（二）双极型三极管1．双极型三极管及其三种工作状态NPN 硅三极管的共射输出特性如图 2.3 所示。把 I=0 这条曲线以下部分称为截止区，此时，三极管各极电流 i»i»0，对应三极管截BBC止的条件是 u<0.5V;在特性的中间部分，曲线是一族近似水平的直线，这个区域称为放大区，BE此时，I 二 bl，对应三极管放大的条件是 u30.5V.u〈0V;把输出特性靠近纵轴的上升部分,cBBEBC对应不同的 I 值的各条曲线几乎重叠在一起的区域称为饱和区，此时,U£U，对应三极管饱和BCECES的条件是 u30.7V。u〉0V。BEBC图巴 2Cc)(完整 word 版)半导体器件基础教案2．三极管的主要参数（1）共发射极电流放大系数 b共发射极电流放大系数 b 表示管子做成后，其收集电流和基区复合电流之比，是一个常数。（2）集电极-发射极饱和电压 UCES集电极-发射极饱和电压 U 指管子饱和时，集电极-发射极间的管压降，小功率管£0。3V.CES（3）集电极最大电流 ICM集电极最大电流 I 指集电极允许流过的最大电流。CM（4）集电极最大功率损耗 PCM集电极最大功率损耗 P 指集电极允许的最大功率。CM（5）集电极一发射极击穿电压 UCEOI、P、U 是极限值，使用管子时，不要超过极限值。CMCMCEO（三）M0...