1.V模拟试卷一、填空（16 分）1．半导体二极管的主要特性是。2．三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为偏置。3•当输入信号频率为 fL 和 fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的—倍，或者是下降了_dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为。4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入反馈。5•乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流 ICQ=、静态时的电源功耗PDC=。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到，但这种功放有失真。6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。二、选择正确答案填空（24 分）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0V，-10V，-9.3 则这只三极管是（）。NPN 型硅管氏 NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.某场效应管的转移特性如图 1 所示，该管为（）P 沟道增强型MOS 管 P 沟道结型场效应管 N 沟道增强型 MOS 管 N沟道耗尽型 MOS 管A. 差模输入电压为 10mV，共模输入电压为 10mV。B. 差模输入电压为 10mV，共模输入电压为 20mV。C. 差模输入电压为 20mV，共模输入电压为 10mV。D.差模输入电压为 20mV,共模输入电压为 20mV。4．通用型集成运放的输入级在图示 2 差分放大电路中，若 ul=20mV，则电路的（）。PNP 型锗管。呼丿-4C采用差动放大电路，这是因为它的（）。A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5. 在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率 fL 降低，应（）。A.减小 C,减小 RiB.减小 C,增大 RiC.增大 C,减小 RiD.增大 C,增大 Ri6. 如图所示复合管，已知 V1 的 bl=30,V2 的 b2=50,则复合后的 b 约为（）。A.1500B.80C.50D.307. RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即 RC 串并联选频网络和（）。A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8. 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（）。A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：VI 的 bl、rbel,V2 的 b2、rbe2,电容Cl、C2、CE 在交流通路中可视为短路。1. 分别指出 VI、V2 的电路组态；2. 画出图示电路简化的 H 参数微变等效电路；3•计算中频电压放大倍数 A...
