半导体名词解释

1/121.何谓 PIE?PIE 的主要工作是什幺？答：ProcessIntegrationEngineer 工艺整合工程师），主要工作是整合各部门的资源，对工艺持续进行改善，确保产品的良率（yield）稳定良好。.2.200mm，300mmWafer 代表何意义?答：8 吋硅片（wafer）直径为 200mm,直径为 300mm 硅片即 12 吋.3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少 mm 的硅片（wafer）工艺？未来北京的 Fab4（四厂）采用多少 mm 的 wafer 工艺？答：当前 1~3 厂为 200mm（8 英寸）的 wafer,工艺水平已达0.13um 工艺。.未来北京厂工艺 wafer 将使用 300mm（12 英寸）。.4.我们为何需要 300mm?答：wafersize 变大，单一 wafer 上的芯片数（chip）变多，单位成本降低200-300 面积增加 2.25 倍,芯片数目约增加 2.5 倍5.所谓的 0.13um 的工艺能力（technology）代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到 0.13um 的栅极线宽。•当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。.6.从 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的 technology 改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。•从 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。.7.一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为 N,P 两种类型（type）,何谓N,P-typewafer?答：N-typewafer 是指掺杂 negative 元素（5 价电荷元素，例如:P、s）的硅片，P-type 的 wafer 是指掺杂 positive 元素（3 价电荷元素，例如：B、In）的硅片。.8.工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程（module）?答:主要有四个部分:DIFF（扩散）、TF（薄膜）、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。.其中 DIFF 又包括 FURNACE（炉管）、WET 湿刻）、IMP（离子注入）、RTP 快速热处理。.TF 包括 PVD 物理气相淀积、CVD 化学气相淀积、CMP 化学机械研磨。•硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程 module 间重复进行的生产过程最后再利用电性的测试，确保产品良好。.9.一般硅片的制造常以几几 M 及光罩层数 masklaye 来代表硅片工艺的时间长短，请问几几 M 及光罩层数 masklaye 代表什幺意义？答：几 P 几 M 代表硅片的制造有几层的 oly 多晶硅和几层的 metal金属导线）.一般 0.15um 的逻辑产品为 1P6M（1 层的 Poly 和 6...