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半导体芯片镀镍技术及peeling 处理

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镀镍制程技术一.无电镀镍的作用:便于焊接二.化学镀镍的优点:1. 不需外加直流电源设备2. 可在非金属,半导体等各种不同基材上镀覆3. 镀层厚度分布均匀三.无电镀镍的原理:1. 活化中心的氧化还原反应通过对不具有催化表面的工件(芯片)的特殊预处理—清洗,活化,使其表面具有催化作用后,在工件(芯片)表面发生氧化还原反应【Ni 被次亚磷酸钠还原成金属 Ni-P 合金而沉积在工件(芯片)表面】活用的活化剂(钯、镍、金盐)。2. 烧渗(烧结)金属离子在高温下有向硅晶体内部渗透扩散的特性3. 二次镍与一次镍的结合,提高抗拉力用硝酸洗去氧化镍后,芯片的表层镶嵌的镍磷合金就是催化剂,使得氧化还原反应在一次镍表面进行,一次镍与二次镍结合起来四.影响化学镀镍的因素:1. 活化前处理:电桨蚀刻除去表层的 SiO 及歼留的玻璃层;B 浸泡 1:10 的 HF,除去残留2的 SiO.露出新鲜的硅层,便于硅层与活化剂作用形成活化中心,促进氧2化还原反应的进行电桨蚀刻不凈,浸泡 1:10 的 HF 时间不足,导致氧化层,玻璃层除去不撤底,最终导致芯片表面镀不上镍,或者影响镍层在芯片表面的附着,导致一次镍与芯片之间的 Peeling2. 活化处理:A. 活化剂的不同极其严重的影响一次镍的质量氯化钯氯化金实验试作结果:采用氯化钯+氯化金活化更能提高镀镍效果氰金化钾B. 活化时间:活化时间过短:活化不足,镀镍效果不佳过长:a 浪费物料;b 增加活化后冲洗的难度C. 活化后清洗:活化后之芯片必须漂洗干凈,以免活化剂带入镀镍液中,造成镀镍液自然发生氧化还原反应而失效3. PH 值:碱性镀镍 PH:8-9A.PH 值过低,反应慢,沉积速度低B.PH 值过高,溶液会反应剧烈,呈沸腾状,出现深灰色镍粉(溶液自然分解的象征)操作中可以添加氨水来补充蒸发了的氨和中和沉积反应时产生的酸4. 温度:温度对沉积速度影响很大,温度俞高,沉淀速度俞快,当温度低于700C 反应已不进行,当温度高于 950C 时,将大大降低溶液的稳定性,特别是加热不均匀,PH 值偏高时,很容易的自然分解5. 镀镍的时间:时间过长,沉积的镍层过厚,在烧结时会导镍层致脱落,镀镍失败时间过短,沉积的镍层过薄,烧结渗入芯片中的镍层不足,不会与二次镍足够的接合在一起,导致抗拉力不足。本公司镀镍工艺采用渐延长时间的镀镍工艺,2-4min,控制镍层在一个比较均匀的范围内6. 烧结:由于热能的驱动,加上镍是比较活泼的金属,在高温下镍极易向硅层中渗透。控...

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