PIE 工程师必备PIE1.何谓 PIE? PIE 的要紧工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 要紧工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 保证产品的良率（yield）稳固良好。2.200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8 吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm 硅片即 12 吋.3.目前中芯国际既有的三个工厂采纳多少 mm 的硅片(wafer)工艺？后来北京的 Fab4(四厂)采纳多少 mm 的 wafer 工艺？答：目前 1~3 厂为 200mm(8 英寸)的 wafer, 工艺水平已达 0.13um 工艺。后来北京厂工艺 wafer 将使用 300mm(12 英寸)。4.我们为何需要 300mm?答：wafer size 变大，单一 wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本减少 200→300 面积增长 2.25 倍,芯片数目约增长 2.5 倍5.所谓的 0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到 0.13 um 的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。6.从 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的 technology 变化又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高下）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从 0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一种时期工艺能力的提高。7.同样的硅片(wafer)基材(substrate)可辨别为 N,P 两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative 元素(5 价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的 wafer 是指掺杂 positive 元素(3 价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。8.工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几种工艺过程(module)？答 ： 要 紧 有 四 个 部 分 ： DIFF （ 扩 散 ） 、 TF( 薄 膜 ) 、 PHOTO （ 光刻）、ETCH（刻蚀）。其中 DIFF 又包括 FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子 注入)、RTP(迅速热处理)。TF 包括 PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造确实是根据客户的规定，持续的在不一样工艺过程（module）间反复进行的生产过程，最终再运用电性的测试，保证产品良好。9.同样硅片的制造常以几 P 几 M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时刻长短，请征询几 P 几 M 及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？答：几 P 几 M 代表硅片的制造有几层...
