在CMOS模拟集成电路设计中 测试题VIP免费

一、选择题1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。（B）A.12B.18C.20D.242.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。（C）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。（D）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区4.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。（A）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽5.表征了MOS器件的灵敏度。（C）A.B.C.D.6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的。（B）A.B.C.D.7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。（C）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。（C）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器9.镜像电流源一般要求相同的。（D）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L10.NMOS管的导电沟道中依靠导电。（）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷11.下列结构中密勒效应最大的是。（A）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器12.在NMOS中，若会使阈值电。（A）A.增大B.不变C.减小D.可大可小13.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。（C）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻14.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。（A）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置15.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为。（）第15题A.B.C.D.16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。（C）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载17.模拟集成电路设计中的最后一步是。（B）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。（B）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS19.PMOS管的导电沟道中依靠导电。（B）B.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷20.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（D）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L21.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。（D）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益22.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗。（D）A.低B.一般C.高D.很高23.MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义来表示电压转换电流的能力。（A）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益24.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是。（C）A.电导B.电阻C.跨导D.跨阻25.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（D）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低26.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。（B）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源27.模拟集成电路设计中的第一步是。（C）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择28.NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层。（C）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变29.模拟集成电路设计中的最后一步是。（B）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择30.不能直接工作的共源极放大器是（C）共源极放大器。A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载31.采用二极管连接的CMOS，因漏极和栅极电势相同，这时晶体管总是工作在。（）A.线性区B.饱和区C.截止区D.亚阈值区32.对于MOS管，当W/L保持不变时，MOS管的跨导随过驱动电压的变化是。（）A.单调增加B.单调减小C.开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线33.对于MOS器件,器件如果进入三极管区(线性区),跨导将。（）Ａ.增加B.减少C.不变D.可能增加也可能减小34.采用PMOS二极管连接方式做负载的NMOS共源放大器，下面说法正确的是。（）A.PMOS和NMOS都存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比有关。B．PMOS和NMOS都存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比无关。C.PMOS和NMOS不存在体效应，电压放大...