米勒效应的影响：MOSFET 的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对 MOSFET 的输入电容（主要是栅源极电容 Cgs）的充放电过程；当 Cgs 达到门槛电压之后， MOSFET 就会进入开通状态；当 MOSFET 开通后，Vds 开始下降，Id 开始上升，此时 MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs 会持续一段时间不再上升，此时 Id 已经达到最大，而 Vds 还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs 又上升到驱动电压的值，此时 MOSFET 进入电阻区，此时 Vds 彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了 Vgs 的上升，从而也就阻止了 Vds 的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs 上升，则导通电阻下降，从而 Vds 下降）米勒效应在 MOS 驱动中臭名昭著，他是由 MOS 管的米勒电容引发的米勒效应，在 MOS 管开通过程中，GS 电压上升到某一电压值后 GS 电压有一段稳定值，过后 GS 电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在 MOS开通前，D 极电压大于 G 极电压，MOS 寄生电容 Cgd 储存的电量需要在其导通时注入 G 极与其中的电荷中和，因 MOS 完全导通后 G 极电压大于 D 极电压。米勒效应会严重增加 MOS 的开通损耗。（MOS 管不能很快得进入开关状态）所以就出现了所谓的图腾驱动！！选择 MOS 时，Cgd 越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消逝。MOSFET 中的米勒平台实际上就是 MOSFET“”处于 放大区 的典型标志用用示波器测量 GS 电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。米勒效应指在 MOS 管开通过程会产生米勒平台，原理如下。理论上驱动电路在 G 级和 S 级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推举值加 0.1Ciess 的电容值是有好处的 。下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。 删荷系数的这张图 在第一个转折点处：Vds 开始导通。Vds 的变化通过 Cgd 和驱动源的内阻形成一个微分。因为 Vds 近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在 Vgs 处产生一个平台。米勒平台是由于 mos 的 g d 两端的电容引起的，即 mos datasheet 里的 Crss 。这个过程是给 Cgd 充电，所以 Vgs 变化很小，当 Cgd 充到 Vgs 水平的时候，Vgs才开始继续上升。Cgd 在 mos 刚开通的时候，通过 mos 快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得 Cgs 上的电压上升变缓，出现平台to~t1:...
