`第一章 常用半导体器件自 测 题 一、推断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示推断结果填入空内。 （1）在 N 型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） （2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R G S 大的特点。（ ） （6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 。 A. I Se U B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U G S＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图 T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D＝0.7V。图 T1.3解：U O 1≈1.3V，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V，U O 4≈2V，U O 5≈1.3V，U O 6≈－2V。四、已知稳压管的稳压值 U Z＝6V，稳定电流的最小值 I Z m i n＝5mA。求图 T1.4所示电路中 U O 1 和 U O 2 各为多少伏。图 T1.4 解：U O 1＝6V，U O 2＝5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图 T1.5 所示，其集电极最大耗散功率 P C M＝200mW，试画出它的过损耗区。 图 T1.5 解图 T1.5 解 ： 根 据 P C M ＝ 200mW 可 得 ： U C E ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ， U C E ＝ 30V 时I C≈6.67mA ，U C E＝20V 时 I C＝10mA，U C E＝10V 时 I C＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图 T1.5 所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。 六、电路如图 T1.6 所示，V C C＝15V，β＝100，U B E＝0.7V。试问： （1）R b＝50kΩ 时，u ...
