电工学电子技术基础-第4章-习题解答VIP专享

第 4 章 场效应管放大电路与功率放大电路 图所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压（或夹断电压）约是多少。图 习题图解：(a) N 沟道 耗尽型 FET UP=－3V；(b) P 沟道 增强型 FET UT=－4V；(c) P 沟道 耗尽型 FET UP=2V。 某 MOSFET 的 IDSS = 10mA 且 UP = －8V。(1) 此元件是 P 沟道还是 N 沟道？(2) 计算 UGS = －3V 是的 ID；(3) 计算 UGS = 3V 时的 ID。解：(1) N 沟道；(2) (3) 画出下列 FET 的转移特性曲线。 (1) UP = －6V，IDSS = 1mA 的 MOSFET；(2) UT = 8V，K = V2的 MOSFET。解：(1) (2) 试在具有四象限的直角坐标上分别画出 4 种类型 MOSFET 的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。解：推断图所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。解： (a) 能放大 (b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。共漏，可增加 Rd，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。图 习题电路图 电路如图所示，MOSFET 的 Uth = 2V，Kn = 50mA/V2，确定电路 Q 点的 IDQ和 UDSQ值。解： 图 习题电路图 图 习题电路图 试求图所示每个电路的 UDS，已知|IDSS| = 8mA。解：(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 12－8×1=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=－8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = －9+8×=－(V) 电路如图所示，已知 VT 在 UGS = 5V 时的 ID = ，在 UGS = 3V 时的 ID = 。现要求该电路中 FET 的 VDQ = 、IDQ = ，试求：(1) 管子的 Kn和 Uth的值；(2) Rd和 RS的值应各取多大？解：（1）ID=Kn(UGS-Uth)2= Kn(5-UTh)2 = Kn(3-Uth)2 → Uth1=(V) (不合理，舍去)，Uth2=2(V)求得：Kn=V2，Uth=2V（2）VDQ=VDD-IDQ·Rd =12－ →Rd=15kΩ →UGSQ1=(V)(不合理，舍去) UGSQ2=(V)UGSQ=10－·Rs ∴Rs=10kΩ 电路如图所示，已知 FET 的 Uth = 3V、Kn = V2。现要求该电路中 FET 的 IDQ = ，试求 Rd的值应为多大？ 图 习题图 图 习题图解：=(UGSQ－3)2 ∴UGSQ1=7(V) UGSQ2=－1(V)(不合理，舍去)UDSQ=UGSQ=7(V) UDSQ=15－×Rd ∴Rd=5kΩ 电路如图所示，已知场效应管 VT 的 Uth = 2V，U(BR)DS = 16V、U(BR)GS = 30V，当 UGS = 4V、UDS = 5V 时的 ID = 9mA。请...