晶圆制造工艺流程1、 表面清洗ﻫ2、 初次氧化３、 ＣＶ D(Ｃ hemica ｌ Vapor ｄ e ｐ osition) 法沉积一层 Si3N4 （H ｏｔ CVD 或 LPCVD） 。)ﻫ1(常压 Ｃ VD （Norma ｌ Pre ｓ sure C Ｖ D)）ﻫ2（低压 C ＶＤ (Ｌｏ w Pr ｅ ssure CV Ｄ)）ﻫ3（热 CVD （Hot CV Ｄ)/（ｔ her ｍａｌ Ｃ VD）（4）电浆增强 Ｃ VD （Pla ｓｍａ Ｅ nhanc ｅ d C Ｖ D)（５）MOC Ｖ D （M ｅｔａ l O ｒ ganic CVD） & 分子磊晶成长 （M ｏ lecuｌ ar Ｂ eam E ｐ it ａｘ y))ﻫ６）外延生长法 （L Ｐ E）ﻫ4、 涂敷光刻胶 ）ﻫ１（光刻胶得涂敷(2）预烘 (pre ｂ ake））ﻫ３（曝光(4)显影)ﻫ5(后烘 （post bak ｅ)（6）腐蚀 (et ｃ hi ｎ g））ﻫ7（光刻胶得去除ﻫ5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 （B＋3） 透过 S ｉ O2 膜注入衬底，形成 P 型阱７、 去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理ﻫ8、 用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷 (P+5） 离子,形成 N 型阱9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO ２ 层ﻫ１0、干法氧化法生成一层 Si Ｏ 2 层，然后 Ｌ P Ｃ VD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术与离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面得氮化硅层ﻫ1２、湿法氧化，生长未有氮化硅保护得 Ｓ iO2 层，形成 PN 之间得隔离区ﻫ13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置得 Ｓ iO2 ，并重新生成品质更好得 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。１ 4、LPCV Ｄ 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。１ 5、表面涂敷光阻,去除 Ｐ 阱区得光阻，注入砷 （As) 离子，形成 Ｎ MOS 得源漏极。用同样得方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 得源漏极。ﻫ１6、利用 Ｐ EC Ｖ D 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件，并进行退火处理。ﻫ1７、沉积掺杂硼磷得氧化层ﻫ18、濺镀第一层金属（1） 薄膜得沉积方法根据其用途得不同而不同,厚度通常小于 1um 。 ）ﻫ2) 真空蒸发法（ Ev ａ pora ｔｉ on D ｅ pos ｉ ti ｏｎ )）ﻫ3（ 溅镀（ Ｓ put ｔ eｒ ing Deposit ｉ o ｎ )ﻫ19、光刻技术定出 V Ｉ A 孔洞,沉积第二层金属,并刻蚀出连线结构。然后，用 PEC ＶＤ 法氧化层与氮化硅保护层。 ２ 0、光刻与...
