1. 有关晶面及晶向附图 2、1 所示。2. 见附图 2、2 所示。3. {100}＝(100)十(010)+(001),共 3 个等价面。{110}＝(110)十()+(101)+()+(011)+(),共 6 个等价面。{111}＝(111)+()+()+(),共 4 个等价面。共 12 个等价面。4. 单位晶胞得体积为 VCu＝0、14 nm3(或 1、4×10-28m3)5. (1)0、088 nm;(2)0、100 nm。6. Cu 原子得线密度为 2、77×106个原子/mm。Fe 原子得线密度为 3、50×106个原子/mm。7. 1.6l×l013个原子/mm2;1、14X1013个原子/mm2;1、86×1013个原子/mm2。8. (1) 5、29×1028个矽原子/m3; (2) 0、33。9. 9. 0.4×10-18/个原子。10. 1、06×1014倍。11. (1) 这种瞧法不正确。在位错环运动移出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动得距离就是由其柏氏矢量决定得。位错环得柏氏矢量为 b,故其相对滑移了一个 b 得距离。(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图 2、3 所示。12. (1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力 τ0,得方向应与 de 位错线平行。(2)在上述切应力作用下,位错线 de 将向左(或右)移动,即沿着与位错线 de 垂直得方向(且在滑移面上)移动。在位错线沿滑移面旋转 360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个 b 得台阶。13. (1),其大小为,其方向见附图 2、4 所示。(2) 位错线方向及指数如附图 2、4 所示。14. (1) 能。几何条件:∑b 前＝∑b 后＝;能量条件:∑b 前 2＝>∑b后 2＝(2) 不能。能量条件:∑b 前 2＝∑b 后 2,两边能量相等。(3) 不能。几何条件:∑b 前＝a/b[557],∑b 后＝a/b[11¯1],不能满足。(4) 不能。能量条件:∑b 前 2＝a2 < ∑b 后 2＝,即反应后能量升高。15. (1) 能够进行。因为既满足几何条件:∑b 前＝∑b 后＝,又满足能量条件:∑b 前 2＝>∑b 后 2＝(2) b 合＝;该位错为弗兰克不全位错。16. (1)假设晶体中位错线互相缠结、互相钉扎,则可能存在得位错源数目个／Cm3。(2) τNi＝1、95×107 Pa。17. 当 θ＝1°,D＝14 nm;θ＝10°,D＝1、4 nm 时,即位错之间仅有 5～6个原子间距,此时位错密度太大,说明当 θ 角较大时,该模型已不适用。18. 畸变能就是原来得 0、75 倍 (说明形成亚晶界后,位错能量降低)。 19. 设小角度晶界得结构由刃型位错排列而成,位错间距为 D。晶界得能量γ 由位错得能量 E 构成,设...
