半导体化学清洗总结VIP专享

半导体化学清洗总结(18 页)Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。化学清洗总结1.3 各洗液的清洗说明；1.3.1SC-1 洗液；1.3.1.1 去除颗粒；硅片表面由于 H2O2 氧化作用生成氧化膜(约 6mm；①自然氧化膜约 0.6nm 厚，其与 NH4OH、H2；② SiO2的腐蚀速度随 NH4OH 的浓度升高而加快；③ Si 的腐蚀速度，随 NH4OH 的浓度升高而快当，；④ NH4OH 促进腐蚀，H2O2 阻碍腐蚀；⑤若 H2O2 的浓度一定，NH4OH 浓度越低，颗粒1.3 各洗液的清洗说明1.3.1 SC-1 洗液1.3.1.1 去除颗粒硅片表面由于 H2O2 氧化作用生成氧化膜 (约 6mm 呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH 腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约 0.6nm 厚，其与 NH4OH、H2O2 浓度及清洗液温度无关。②SiO2 的腐蚀速度随 NH4OH 的浓度升高而加快，其与 H2O2 的浓度无关。③Si 的腐蚀速度，随 NH4OH 的浓度升高而快当，到达某一浓度后为一定值，H202浓度越高这一值越小。④NH4OH 促进腐蚀，H2O2 阻碍腐蚀。⑤ 若 H2O2 的浓度一定，NH4OH 浓度越低，颗粒去除率也越低，假如同时降低H2O2 浓度可抑制颗粒的去除率的下降。⑥ 随着清洗液温度升高，颗粒去除率也提高在一定温度下可达最大值。⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关为确保颗粒的去除要有一定量以上的腐蚀。⑧ 超声波清洗时由于空化现象只能去除≥0.4μm 颗粒。兆声清洗时由于 0.8Mhz 的加速度作用能去除≥0.2μm 颗粒，即使液温下降到 40℃也能得到与 80℃超声清洗去除颗粒的效果，而且又可避开超声清洗对晶片产生损伤。⑨ 在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。1.3.1.2 去除金属杂质① 由于硅表面氧化和腐蚀，硅片表面的金属杂质，随腐蚀层而进入清洗液中。② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上。如:Al、Fe、Zn 等便易附着在自然氧化膜上而 Ni、Cu 则不易附着。 ③ Fe、Zn、Ni、Cu 的氢氧化物在高 pH 值清洗液中是不可溶的有时会附着在自然氧化膜上。 ④清洗后硅表面的金属浓度取决于清洗液中的金属浓度。其吸附速度与清洗液中的金属络合离子的形态无...