半导体二极管及其应用习题解答(12 页)Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。第 1 章 半导体二极管及其基本电路1.1 教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特别二极管。教学内容与教学要求如表 1.1 所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及 PN 结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。表 1.1 第 1 章教学内容与要求教学内容教学要求重点与难点半导体基础知识本征半导体，杂质半导体熟练掌握正确理解一般了解PN 结形成√重点：PN 结的单向导电性难点：PN 结的形成单向导电性√伏安特性√电容效应√半导体二极管结构与类型√重点：二极管应用电路分析难点：二极管各模型的特点及选择各种模型的条件伏安特性与主要参数√型号与选择√模型√应用（限幅、整流）√特别二极管稳压二极管（稳压原理与稳压电路）√重点：稳压管稳压条件及稳压电路分析发光二极管、光电二极管、变容二极管√1.2 内容提要1.2.1 半导体的基础知识1．本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空穴对，它们的浓度相等。本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大，随着温度的升高，载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低，导电能力仍然很差，2．杂质半导体(1) N 型半导体 本征半导体中，掺入微量的五价元素构成 N 型半导体，N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴。N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中，掺入微量的三价元素构成 P 型半导体。P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。P 型半导体呈电中性。在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度就越大。而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。1.2.2 PN 结及其特性1．PN 结的形成在一块本征半导体上，通过一定的工艺使其一边形成 N 型半导体，另一边形成 P 型半导体，在 P 型区和 N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层，称为 PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。2．PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。外加正向电压时，电阻很小，正向电流是多子的扩散电流，数值很大，PN 结导通；外加反...
