模拟电子技术 随堂练习第１章 常用半导体器件1、 N 型半导体得多数载流子就就是电子,因此它应（ ）。ﻫ A、带负电 Ｂ、带正电 C、不带电 参考答案：Ｃ2、 将 PN 结加适当得反向电压,则空间电荷区将( )。ﻫ A、变窄 B、变宽 C、不变 参考答案:B３、 二极管得死区电压随环境温度得升高而( ）。ﻫ A、增大 B、不变 C、减小 参考答案：C4、 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压 u ｉ=10sintV 时,输出电压最大值为１ 0V 得电路就就是( )。ﻫ 参考答案:C5、 电路如图所示，D1,D2 均为理想二极管,设Ｕ 1=10 Ｖ,ｕｉ=４ 0sinωtV,则输出电压 uO 应为（ )。 Ａ、最大值为 4 ０ V,最小值为 0Vﻫ B、最大值为 4 ０ V，最小值为+１０ Vﻫ C、最大值为１ 0V,最小值为－40Vﻫ Ｄ、最大值为１ 0V,最小值为 0V 参考答案：D6、 稳压管得动态电阻 r Ｚ就就是指（ )。ﻫA、稳定电压与相应电流Ｉ Z 之比ﻫB、稳压管端电压变化量 UZ 与相应电流变化量 IZ 得比值ﻫC、稳压管正向压降与相应正向电流得比值 参考答案:B7、 在放大电路中得晶体管,其电位最高得一个电极就就是（ )。ﻫ A、PNP 管得集电极 B、PN Ｐ管得发射极 ﻫ Ｃ、N Ｐ N 管得发射极 D、Ｎ P Ｎ管得基极 参考答案:B8、 已知放大电路中某晶体管三个极得电位分别为 VE＝-1、7V，VB＝－１、4 Ｖ,VC＝5 Ｖ,则该管类型为( )。 A、NPN 型锗管 B、Ｐ NP 型锗管 C、Ｎ PN 型硅管 D、PNP 型硅管 参考答案：Ａ第２章 基本放大电路1、 假如改变晶体管基极电压得极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。ﻫ A、反向 Ｂ、近似等于零 C、不变 D、增大 参考答案:B2、 晶体管处于饱与状态时,集电结与发射结得偏置情况为( ）。 A、发射结反偏,集电结正偏 Ｂ、发射结、集电结均反偏 C、发射结、集电结均正偏 D、发射结正偏、集电结反偏 参考答案:C3、 晶体管得电流放大系数就就是指( )。A、工作在饱与区时得电流放大系数ﻫＢ、工作在放大区时得电流放大系数ﻫＣ、工作在截止区时得电流放大系数 参考答案：B4、 低频小功率晶体管得输入电阻ｒ be 等于（ )。ﻫＡ、 Ｂ、 ﻫＣ、 参考答案:B5、 某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻Ｒ C,根据图中得数据推断该管处在（ )。ﻫA、截止状态 Ｂ、放大状态 C、饱与状态ﻫ 参考答案:B6、 某场效应管得漏极特性曲线如图所...
