《微机原理与接口技术》习题解答4VIP专享

习题 44。1 半导体存储器有哪些优点?SRAM、DRAM 各自有何特点？【解答】特点是容量大、存取速度快、体积小、功耗低、集成度高、价格便宜。SRAM 存放的信息在不停电的情况下能长时间保留不变，只要不掉电所保存的信息就不会丢失。而 DRAM保存的内容即使在不掉电的情况下隔一定时间后也会自动消逝，因此要定时对其进行刷新。4。2 ROM、PROM、EPROM、E2PROM、Flash Memory 各有何特点？用于何种场合?【解答】掩膜式 ROM 中的信息是在生产厂家制造时写入的。制成后，信息只能读出不能改写.PROM 中晶体管的集电极接 VCC，基极连接行线，发射极通过一个熔丝与列线相连。出厂时，晶体管阵列的熔丝完好。写入信息时，选中某个晶体管，输入高低电平保留或烧断熔丝对应 1 和 0。烧断熔丝不能再复原，因此只能进行一次编程.EPROM 芯片的顶部开有一石英窗口，通过紫外线的照射可擦除片内原有信息,一块芯片可多次使用，缺点是只能进行整片写。E2PROM 是可用电擦除和编程的只读存储器,能在线读写,断电情况信息不丢失,能随机改写；其擦写次数可达 1 万次以上，数据可保存 10 年以上。可作为系统中可靠保存数据的存储器。Flash Memory 是新型的半导体存储器，可实现大规模电擦除,擦除功能可迅速清除整个存储器的所有内容；可高速编程；闪速存储器可重复使用，适用于文件需要常常更新的可重复编程应用中。对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器.4。3 动态 RAM 为什么需要常常刷新？微机系统如何进行动态 RAM 的刷新？【解答】动态 RAM 是利用电容存储电荷的原理来保存信息的,由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态 RAM 不断进行刷新。DRAM 的刷新常采纳两种方法:一是利用专门的 DRAM 控制器实现刷新控制，如 Intel 8203 控制器；二是在每个 DRAM 芯片上集成刷新控制电路，使存储器件自身完成刷新，如 Intel 2186/2187.4。4 常用的存储器地址译码方式有哪几种？各自的特点是什么?【解答】线选译码：连接简单，无须专门的译码电路；缺点是地址不连续，CPU 寻址能力的利用率太低，会造成大量的地址空间浪费。全译码：将低位地址总线直接连至各芯片的地址线,余下的高位地址总线全部参加译码，译码输出作为各芯片的片选信号。可以提供对全部存储空间的寻址能力。部分译码：该方法只对部分高位地址总线进行译码，以产生片选信号，剩余高位线可空闲或直接用作其它存储芯片的片...