电力电子技术 期末考试试题与答案

电力电子技术试题第 1 章 电力电子器件1 、 电力电子器件一般工作在__ 开关 __ 状态。2 、 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__ 通态损耗 __ ,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__ 开关损耗 __ 。3 、 电力电子器件组成得系统,一般由__ 控制电路 __ 、_ 驱动电路 _ 、 _ 主电路 _ 三部分组成,由于电路中存在电压与电流得过冲,往往需添加_ 保护电路 __ 。4 、 按内部电子与空穴两种载流子参加导电得情况,电力电子器件可分为_ 单极型器件 _ 、 _ 双极型器件 _ 、_ 复合型器件 _ 三类。5 、 电力二极管得工作特性可概括为_ 承受正向电压导通 , 承受反相电压截止 _ 。6 、 电力二极管得主要类型有_ 普通二极管 _ 、_ 快恢复二极管 _ 、 _ 肖特基二极管 _ 。7 、 肖特基二极管得开关损耗_ 小于 _ 快恢复二极管得开关损耗。8 、 晶闸管得基本工作特性可概括为 __ 正向 电压门极 有触发则导通、反向 电压则 截止 __ 。9 、 对同一晶闸管,维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__ 大于 __ IH 。10 、 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为,UDSM_ 大于 __ Ubo。11 、 逆导晶闸管就是将_ 二极管 _ 与晶闸管_ 反并联 _ (如何连接)在同一管芯上得功率集成器件。12 、 GTO 得__ 多元集成 __ 结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。1 3 、 MOSFET 得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR 共发射极接法时得输出特性中得三个区域有对应关系,其中前者得截止区对应后者得_ 截止区 _ 、前者得饱与区对应后者得__ 放大区 __ 、前者得非饱与区对应后者得_ 饱与区 __ 。1 4 、 电力 MOSFET 得通态电阻具有__ 正 __ 温度系数。1 5 、 IGBT 得开启电压 UGE(th)随温度升高而_ 略有下降 __ ,开关速度__ 小于 __ 电力 MOSFET 。1 6 、 根据驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质,可将电力电子器件分为_ 电压驱动型 _ 与_ 电流驱动型 _ 两类。17 、 IGBT 得通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有__ 负 ___ 温度系数, 在 1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有__ 正 ___ 温度系数。18 、 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管...