计算机组成与结构部分习题及答案

计算机组成与结构部分习题及答案（仅供参考）第四章 主存储器一、选择题1、 关于主存下列叙述正确的是（C ）A 主存的速度可与 CPU 匹配。B 内存是 RAM，不包括 ROMC 辅存的程序调入主存中才能执行D 辅存中不能存放程序，只能存放数据2、 断电后将丢失信息的是（B ）A）ROM B）RAM C）磁盘 D）光盘3、 关于主存下列叙述正确的是（A ）A CPU 可直接访问主存，但不能直接访问辅存B CPU 可直接访问主存，也直接访问辅存C CPU 不能直接访问主存，也不能直接访问辅存D CPU 不能直接访问主存，但能直接访问辅存4、 16K×32 位存储芯片的数据线有（C ）A）5 条 B）14 条 C）32 条 D）46 条5、 16K×32 位存储芯片的地址线有（B ）A）5 条 B）14 条 C）32 条 D）46 条6、 半导体静态存储器 SRAM 的存储原理是（A ）A）依靠双稳态电路保存信息 B) 依靠定时刷新保存信息C）依靠读后再生保存信息 D）信息存入后不在变化7、 动态 RAM 是指（C ）A）存储内容动态变化 B) 需动态改变访问地址C）需对存储内容定时动态刷新 D）每次读都要重写动态 RAM 的基本单元电路。常见的动态 RAM 基本单元电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息的。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持 1～2ms，因此即使电源不掉电信息也会自动消逝。为此，必须在 2ms 内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程叫再生或刷新。由于它与静态 RAM 相比，具有集成度更高、功耗更低等特点，因此目前被各类计算机广泛应用。由 Tl、T2，T3三个 MOS 管组成的三管 MOS 动态 RAM 基本单元电路：读出时，先预充电使读数据线达高电平 VDD，然后由读选择线打开 T2，若 Tl的极间电荷 Cg 存有足够多的电荷(被认为原存“1”)，使 T1导通，则因 T2、Tl导通接地，使读数据线降为零电平，读出“0”信息。若 Cg没足够电荷(原存“0”)，则 T1截止，读数据线为高电平不变，读出“1”信息。可见，由读出线的高低电平可区分其是读“1”，还是读“0”，只是它与原存信息反相。 写入时，将写入信号加到写数据线上，然后由写选择线打开 T3，这样，Cg便能随输入信息充电(写“1”)或放电(写“0”)。为了提高集成度，将三管电路进一步简化，去掉 Tl，把信息存在电容 Cs 上，将 T2、T3合并成一个管子 T，得单管 MOS 动态 RAM ...