实验报告一、实验名称 静态随机储存器实验二、实验目的 掌握静态随机储存器 RAM 的工作特性和数据的读写方法三、实验设备TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一套,导线若干
四、实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图 1 所示,实验中的静态存储器由一片 6116(2K×8)构成,其数据线接至数据总线,地址线由地址锁存器(74LS273)给出
地址灯 ADO~AD7 与地址线相连,显示地址线内容
数据开关经三态门(74LS245)连至数据总线,分时给出地址和数据
因地址寄存器为 8 位,接入 6116 的地址 A7--AO,而高三位 A8—A1O 接地,所以其实际容量为 256 字节
6116 有三个控制线:CE(片选线)、0E(读线)、WE(写线)
当片选有效(CE=O)时,OE=O 时进行读操作,WE=0 时进行写操作
本实验中将 0E 常接地,因此 6116 的引脚信号 WE=1 时进行读操作, WE=0 时进行写操作
在此情况下,要对存储器进行读操作,必须设置控制端 CE=O、WE=O,同时有 T3 脉冲到来,要对存储器进行写操作,必须设置控制端 CE=O、WE=1,同时有 T3 脉冲到来,其读写时间与 T3 脉冲宽度一致
实验时将 T3 脉冲接至实验板上时序电路模块的 TS3 相应插孔中,其脉冲宽度可调,其它电平控制信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟,其中SW-B 为低电平有效,LDAR 为高电平有效
图 1 存储器实验原理图五、实验内容1
向存储器中指定的地址单元输入数据,地址先输入 AR 寄存器,在地址灯上显示;再将数据送入总线后,存到指定的存储单元,数据在数据显示灯和数码显示管显示
从存储器中指定的地址单元读出数据, 地址先输入 AR 寄存器,在地址灯显示; 读出的数据送入总线, 通过数据显示灯和数码显示管显示