CP、FT、WATCP 是把坏的 Die 挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道 Wafer 的良率。FT 是把坏的 chip 挑出来；检验封装的良率。现在对于一般的 wafer 工艺，很多公司多把 CP 给省了；减少成本。CP 对整片 Wafer 的每个 Die 来测试而 FT 则对封装好的 Chip 来测试。CP Pass 才会去封装。然后 FT，确保封装后也 Pass。WAT 是 Wafer Acceptance Test，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；CP 是 wafer level 的 chip probing ， 是 整 个 wafer 工 艺 ， 包 括backgrinding 和 backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如 vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；FT 是 packaged chip level 的 Final Test ， 主 要 是 对 于 这 个 （ CP passed）IC 或 Device 芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；Pass FP 还不够，还需要做 process qual 和 product qualCP 测试对 Memory 来说还有一个非常重要的作用，那就是通过 MRA计算出 chip level 的 Repair address，通过 Laser Repair 将 CP 测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了 yield 和 reliability 两方面的提升。CP 是对 wafer 进行测试，检查 fab 厂制造的工艺水平FT 是对 package 进行测试，检查封装厂制造的工艺水平对于测试项来说，有些测试项在 CP 时会进行测试，在 FT 时就不用再次进行测试了，节约了 FT 测试时间；但是有些测试项必须在 FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）一般来说，CP 测试的项目比较多，比较全；FT 测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做 FT 不做 CP（假如FT 和封装 yield 高的话，CP 就失去意义了）。在测试方面，CP 比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT 相对来说简单一点。还有一点，memory 测试的 CP 会更难，因为要做 redundancy analysis，写程序很麻烦。CP 在整个制程中算是半成品测试，目的有 2 个，1 个是监控前道工艺良率，另一个是降低后道成本（避开封装过多的坏芯片），其能够测试的项比 FT 要少些。最简单的一个例子，碰到大电流测试项 CP肯定是不测的（探针容许的电流有限），...
