基于TOPSwitch的开关电源设计VIP免费

基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计1引言功率开关管、PWM控制器和高频变压器是开关电源必不可少的组成部分。传统的开关电源一般均采用分立的高频功率开关管和多引脚的PWM集成控制器，例如采用UC3842＋MOSFET是国内小功率开关电源中较为普及的设计方法。90年代以来，出现了PWM/MOSFET二合一集成芯片，他大大降低了开关电源设计的复杂性，减少了开关电源设计所需的时间，从而加快了产品进入市场的速度。二合一集成控制芯片多采用3脚，4脚，5脚，7脚和8脚封装，其中美国功率集成公司于97年推出的三端脱线式TOPSwitchⅡ系列二合一集成控制器件，是该类器件的代表性产品。2TOPSwitchⅡ器件简介TOPSwitch系列器件是三端脱线式PWM开关（Three－terminalOff－linePWMSwtich）的英文缩写。TOPSwitch系列器件仅用了3个管脚就将脱线式开关电源所必需的具有通态可控栅极驱动电路的高压N沟道功率的MOS场效应管，电压型PWM控制器，100kHz高频振荡器，高压启动偏置电路，带隙基准，用于环路补偿的并联偏置调整器以及误差放大器和故障保护等功能全部组合在一起了。TOPSwitchⅡ系列器件是TOPSwitch的升级产品，同后者相比，内部电路做了许多改进，器件对于电路板布局以及输入总线瞬变的敏感性大大减少，故设计更为方便，性能有所增强。其型号包括TOP221－TOP227，内部结构如图1所示[1]。TOPSwitchⅡ是一个自偏置、自保护的电流－占空比线性控制转换器。由于采用CMOS工艺，转换效率与采用双集成电路和分立元件相比，偏置电流大大减少，并省去了用于电流传导和提供启动偏置电流的外接电阻。漏极连接内部MOSFET的漏极，在启动时，通过内部高压开关电流源提供内部偏置电流。源极连接内部MOSFET的源极，是初级电路的公共点和基准点。控制极误差放大电路和反馈电流的输入端。在正常工作时，由内部并联调整器提供内部偏流。系统关闭时，可激发输入电流，同时也是提供旁路、自动重启和补偿功能的电容连接点。控制电压控制极的电压Vc给控制器和驱动器供电或提供偏压。接在控制极和源极之间的外部旁路电容CT，为栅极提供驱动电流，并设置自动恢复时间及控制环路的补偿。在正常工作（输出电压稳定）时，反馈控制电流给Vc供电，并联稳压器使Vc保持在4.7V。在启动时，控制极的电流由内部接在漏极和控制极之间的高压开关电流源提供。控制极电容CT放电至阈值电压以下时，输出MOSFET截止，控制电路处于备用方式。此时高压电流源接通，并再次给电容CT充电。通过高压电流源的接通和断开，使Vc保持在4.7－5.7V之间。带隙基准TOPSwitchⅡ内部电压取自具有温度补偿的带隙基准电压。此基准电压也能产生可微调的温度补偿电流源，用来精确地调节振荡器的频率和MOSFET栅极驱动电流。振荡器内部振荡器通过内部电容线性地充电放电，产生脉宽调制器所需的的锯齿波电压。为了降低EMI并提高电源的效率，振荡器额定频率为100kHz。脉宽调制器流入控制极的电流在RE两端产生的压降，经RC电路滤波后，加到PWM比较器的同相输入端，与振荡器输出的锯齿波电压比较，产生脉宽调制信号，该信号驱动输出MOSFET实现电压型控制。正常工作时，内部MOSFET输出脉冲的占空比随着控制极电流的增加而线性减少，如图2所示[1]。栅极驱动器栅极驱动器以一定速率使输出MOSFET导通。为了提高精确度，栅极驱动电流还可以进行微调逐周限流。逐周限流电路用输出MOSFET的导通电阻作为取样电阻，限流比较器将MOSFET导通时的漏源电压与阈值电压VILIMIT进行比较。漏极电流过大时，漏源电压超过阈值电压，输出MOSFET关断，直到下一个周期，输出MOSFET才能导通。误差放大器误差放大器的电压基准取自温度补偿带隙基准电压；误差放大器的增益则由控制极的动态阻抗设定。系统关闭/自动重动为了减少功耗，当超过调整状态时，该电路将以5％的占空比接通和关断电源。过热保护当结温超过热关断温度（135℃）时，模拟电路将关断输出MOSFET。高压偏流源在启动期间，该电流源从漏极偏置TOPSwitchⅡ，并对控制极外界电容CT充电。在TOPSwitchⅡ系列中，TOP225－TOP227采用TO－220封装形式，而TOP221－TOP224则有TO－220和DIP－8，SMD－8三种封装形式，如图3所示[1]。考虑到DIP－8和SMD...