历年真题第一章1、Si、GaAs半导体材料的导带底、价带顶分别在k空间什么位置？其晶体构造和解理面分别是什么？哪个是直接带隙，哪个是间接带隙？()2、对于金刚石构造的硅Si和闪锌矿构造的砷化镓GaAs，在（111）晶面上，其原子面密度和面间距都是最大，为何Si的解理面是（111），而GaAs不是？()3、半导体材料的禁带宽度Eg、N型半导体杂质激活能△Ed以及亲和势X分别表达半导体电子的什么状态特性？（简答题7分）4、与真空电子运动相比，半导体中电子的运动有何不一样？（简答题7分）（1-9题63分，每题7分()）5、如图是一种半导体能带构造的E–k关系；1）哪个能带具有x方向更小的有效质量？2）考虑两个电子分别位于两个能带中的十字线处，哪个电子的速度更大些？6、写出硅(Si)和砷化镓(GaAs)的晶体构造、禁带宽度和解理面。？（简答题6分）第二章3、高阻的本征半导体材料和高阻的高度赔偿的半导体材料的区别是什么？()•1深能级杂质和浅能级杂质概念（西交大）•1以硅为例，举例阐明掺入浅能级和深能级杂质的目的和作用？（西电）•2.什么是浅能级杂质？什么是深能级杂质？列举出半导体硅中各一种杂质元素的例子。半导体中掺入这些杂质分别起什么作用?()E0E0kx12E第三章•11、定性画出N型半导体样品，载流子浓度n随温度变化的曲线（全温区），讨论各段的物理意义，并标出本征激发随温度的曲线。设该样品的掺杂浓度为ND。比较两曲线，论述宽带隙半导体材料器件工作温度范围更宽。(-20分)•４、室温下，一N型样品掺杂浓度为Nd，所有电离。当温度升高后，其费米能级怎样变化？为何？一本征半导体，其费米能级随温度升高怎样变化？为何？（）•4、一块N型半导体，随温度升高，载流子浓度怎样变化？费米能级怎样变化？（）•7、定性阐明掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系是怎样的？（）•10、（20分）设某一种半导体材料室温下（300K）本征载流子浓度为1.0×1010cm−3，价带和导带有效状态密度NV=NC=1019cm−3，•1）求禁带宽度；•2）假如掺入施主杂质ND=1016cm−3，求300K下，热平衡下的电子和空穴浓度；•3）对于上面的样品，在又掺入NA=2×1016cm−3的受主杂质后，求新的热平衡电子和空穴浓度（300K）。•4）求3）中，费米能级的位置EF−Ei；()•9.(10分)已知某半导体材料中n型杂质浓度为ND，•p型杂质浓度为NA，假设杂质完全电离，•证明半导体中电子浓度：•11.(20分-)对于一块掺杂浓度为ND的N型半导体材料，（1）示意画出电子浓度n0随温度的变化曲线，并在图中同步画出本征半导体浓度ni随温度变化的曲线；（2）若掺杂浓度ND提高，载流子浓度随温度变化曲线怎样变化？（3）示意地画出N型半导体费米能级随温度的变化，并简朴解释；（4）在n0随温度变化的曲线上，哪段温度的影响对材料电阻率起到增长的作用？为何？第四章4、半导体中重要的两种散射机构是什么？在有多种散射机构存在的状况下，为何迁移率重要由自由时间短的机理决定？（）9、（16分）在T=300K下，一N型半导体Si样品，测得的电阻率为0.1W-cm。（1）求此时的电子浓度和空穴浓度（查图）。（2）若在此样品中，再掺入9´1016cm-3P型杂质，求此时样品的电阻率、多子浓度和少子浓度。并求出此时多子的迁移率（查图）。（）６、一N型硅样品杂质浓度为ND1，经扩硼B后（掺杂浓度为NA）样品变为P型；再经扩磷P（杂质浓度为ND2）样品又变为N型，此时载流子浓度为多少？与未扩散前的N型样品相比，迁移率有何变化？７、半导体的电阻率通过掺杂可以敏感地控制，“掺入百万分之一的杂质，可以引起电阻率百万倍变化”，以硅为例，忽视掺杂对迁移率的影响，粗略估算证明之。9、（16分）什么是载流子的迁移率？迁移率与载流子的平均自由时间成正比。有两种载流子的散射机构，平均自由时间分别为t1，t2，假如t1〉t2，总迁移率是不是由t1散射机构决定？解释之。12、（18分）当温度升高时，本征半导体的电阻率与金属的电阻率随温度变化有何不一样？为何？一块N型样品的电阻率随温度的变化又怎样？解释之11、（13分）1）什么是载流子的迁移率？影响迁移率的重要散射机理有几种。讨论载流子类型、掺杂和环境温度对迁移率的影响关系。2）...
