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高效率开关电源设计实例VIP免费

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第1页共10页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第1页共10页高效率开关电源设计实例--10W同步整流Buck变换器以下设计实例中,包含了各种技巧来提高开关电源的总体效率。有源钳位和元损吸收电路的设计主要依靠经验来完成的,所以不在这里介绍。采用新技术时必须小心,因为很多是有专利的,可能需要直接付专利费给专利持有人,或在购买每一片控制IC芯片时,支付附加费用。在将这些电源引入生产前,请注意这个问题。10W同步整流Buck变换器应用此设计实例是PWM设计实例1的再设计,它包括了如何设计同步整流器(板载的10W降压Buck变换器)。在设计同步整流开关电源时,必须仔细选择控制IC。为了效率最高和体积最小,一般同步控制器在系统性能上各有千秋,使得控制器只是在供应商提到的应用场合中性能较好。很多运行性能的微妙之处不能确定,除非认真读过数据手册。例如,每当作者试图设计一个同步整流变换器,并试图使用现成买来的IC芯片时,3/4设计会被丢弃。这是因为买来的芯片功能或工作模式往往无法改变。更不用说,当发现现成方案不能满足需求时,是令人沮丧的(见图20的电路图)。设计指标输入电压范围:DC+10~+14V输出电压:DC+5.0V额定输出电流:2.0A过电流限制:3.0A输出纹波电压:+30mV(峰峰值)输出调整:±1%最大工作温度:+40℃“黑箱”预估值输出功率:+5.0V*2A=10.0W(最大)输入功率:Pout/估计效率=10.0W/0.90=11.1W功率开关损耗(11.1W-10W)*0.5=0.5W续流二极管损耗:(1l.lW-10W)*0.5=0.5W输入平均电流低输入电压时11.1W/10V=1.1lA高输入电压时:11.1W/14V=0.8A第2页共10页第1页共10页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第2页共10页估计峰值电流:1.4Iout(rated)=1.4×2.0A=2.8A设计工作频率为300kHz。电感设计(参见正激式滤波扼流圈的设计)最恶劣的工作情况是在高输入电压时。式中Vin(max)——可能的最大输入电压。Vout——输出电压。Iout(min)——最小负载时的电流。fsw——工作频率。电感是个环形表面封装元件,市场上有多种标准表面封装的电感,这里选择的是Coileraft公司的D03340P-333(33μH)。功率开关和同步整流器MOSFET的选择功率开关:功率开关要用一个变压器耦合的N沟道功率MOSFET。这里打算使用一个S0-8封装的双N沟道MOSFET,以节省PCB空间。最大输入电压是DCl4V。因此,可以选用VDSS不低于DC+30V、峰值电流是2.8A的MOSFET。选择过程的第一步是确定所用MOSFET的最大RDS(on),通过热模型可以确定这个值,最大的RDS(on)可由下式得到:同时希望器件的耗散功率小于1W,所以估计的RDS(on)应小于所以选FDS6912A双N沟道MOSFET,它是S0-8封装,10V栅极电压时的导通电阻为28mΩ。同步二极管:要用一个大约是同步MOSFET连续额定容量的30%的肖特基二极管与MOSFET内部二极管并联,30V时约为0.66A。这里使用MBRSl30,该二极管在流过0.66A时有0.35V的正向压降。可替换的元件:在写本书时,仙童半导体公司出品了一个集成的肖特基二极管和MOSFET,肖特基二极管直接并在MOSFET的硅片上(syncFET)。SyncFET有一个40mΩN沟道MOSFET,与一个28mΩSyncFET一起封装,型号为FDS6982S。输出电容(参见输出级的设计)第3页共10页第2页共10页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第3页共10页输出电容值由下列公式确定:输入和输出滤波电容主要考虑的是流入电容的纹波电流。在这个实例中,纹波电流和电感交流电流是相同的,电感电流最大值限定在2.8A,纹波电流峰峰值为1.8A,有效值大约为O.6A(约为峰峰值的1/3)。采用表面安装钽电容,因为它的ESR只有电解电容的10%~20%。在环境温度+85。C=时,电容将降额30%使用。最佳的电容是来自AVX公司的,它的ESR非常低,因此可以适应很高的纹波电流,但这是很特殊的电容。在输出端可将下列两种电容并在一起。AVX:TPSEl07M01R01501OOμF(20%),10V,150mΩ,O.894A(有效值)TPSE107M01R0125100/μF(20%),10V,125mΩ,0.980A(有效值)Nichicon:F750A107MD100μF(20%),10V,120mΩ,0.92A(有效值)输入滤波电容(见功率因数校正)这个电容要...

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