一、单项选择题:1.金属导体的电阻值伴随温度的升高而()。A:增大B:减少C:恒定D:变弱2.纯电感电路的感抗为()。A:LB:ωLC:1/ωLD:1/2πfL3.在正弦交流电阻电路中,对的反应电流电压的关系式为()。A:i=U/RB:i=Um/RC:I=U/RD:I=Um/R4.在有些状况下为了缩短晶闸管的导通时间,加大触发电流(两倍以上)这个电流称为()。A:触发电流B:强触发电流C:掣位电流D:导通电流5.三相负载接在三相电源上,若各相负载的额定电压等于电源线电压1/,应作()连接。A:星形B:三角形C:开口三角形D:双星形6.单相正弦交流电路中有功功率的体现式是()。A:UIB:UIC:UIcosφD:UIsinφ7.纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流()。A:超前90°B:滞后90°C:同相D:超前0~90°8.两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V,则有()。A:u1超前u290°B:u2比u1超前90°C:不能判断相位差D:9.射极输出器的输出阻抗(),故常用在输出极。A:较高B:低C:不高不低D:很高10.二极管半波整流时负载两端的直流电压等于()。A:0.75U2B:U2C:0.45U2D:0.9U211.三相变压器的连接组别是表达()。A:原付边线电压的相位关系B:原付边的同名端关系C:原付边相电压的时至中关系D:原付边电流大小关系12.射极输出器的电压放大倍数约等于()。A:80--100B:1C:<5013.晶闸管的控制角越大,则输出电压()。A:越高B:移相位C:越低D:越大14.某正弦交流电压的初相角中,φU=π/6,在t=0时,其瞬时值将()。A:不不小于零B:不小于零C:等于零D:不定15.已知msinwt第一次到达最大值的时刻是0.005s,则第二次到达最大值时刻在()。A:0.01sB:0.025sC:0.05sD:0.075s16.U=311sin(314t-15°)伏,则U=()伏。A:220∠-195°B:220∠1950°C:311∠-15°D:220∠-15°17.实际电压源与实际电流源的等效互换,对内电路而言是()。A:可以等效B:不等效C:当电路为线性时等效D:当电路为非线性时等效19.任一条件具有都可以得到肯定的结论,这是()逻辑。A:与B:或C:或非D:非20.在放大电路中,为了稳定输出电流,应引入()。A:电压负反馈B:电压正反馈C:电流负反馈D:电流正反馈21.Z=A+B是()逻辑。A:与B:与或非C:与或非D:或非22.在三极管放大电路中,为了增强带负载的能力应采用()放大电路。A:共发射极B:共基极C:共集电极D:共阴极23.结论和给定条件相反的逻辑是()。A:与B:或C:与非D:非24.已知放大电路中三个管脚对地的电位是(1)0V;(2)0.7V;(3)6V,则该三极管是()型。A:NPNB:PNPC:硅管D:锗管25.放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是()。A:电流正反馈B:电流负反馈C:电压正反馈D:电压负反馈26.可控硅的正向阻断是()。A:可控硅加小向阳极电压,控制极加反向电压B:可控大地加厂向阳极电压,控制极不加反向电压C:可控硅加反向阳极电压,控制极加正向电压D:可控硅加反向阳极电压,控制极加反向电压27.一三相对称负载,三角形连接,已知:相电流IBC=10∠-10°安,则线电流I=()安。A:17.3∠-40°B:10∠-160°C:10∠80°D:17.3∠80°28.单相半波可控硅整流电路,决定控制角的元件是()。A:U2B:U2/2C:U20.45U229.所有条件都具有,才有肯定的结论,这是()逻辑。A:与非B:或非C:与D:非30.单相桥式半控整流电路,通过变化控制角,负载电压可在()之间持续可调。A:0~0.45U2B:0~0.9U2C:0~U2D:0~2.34U231.已知:I=-14.1sin100πtA,其电流相量I=()A。A:14.1∠0°B:14.1∠180°C:10∠0°D:10∠-180°32.可控硅导通条件是()。A:阳极与阴极加正向电压,控制极与阳极加反向电压B:阳极与阴极加正向电压,控制极与阴极加正向电压C:阳极与阴极加反向电压,控制极与阳极加反向电压D:阳极与阳极加反向电压,控制极与阴极加正向电压33.晶体三极管发射结反偏置、集电结处在偏置,晶体三极管处在()工作状态。A:放大B:截止C:饱和D:开路34.晶体三极管发射结处在正偏,集电结处反偏,则三极管的工作状态为()。A:饱和B:截止C:放大D:导通35.已知e=311sin(314t+5°)V,其相量E=()。A:311∠5°B:220∠5°C:220∠+185°D:220∠+175°36.戴维南定理只合用于()。A:外部为非线性电路B:外部为线性电路C:内部为线性含源电路D:内部电路为非线性含源电路37.可控硅有()PN结构成。A:1个B:2个C:3个D:4个38.电容器的电流I=CΔUC/Δt,当UC增大时,电容器为()。A:充电过程并吸取电能转换...
