“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装VIP免费

第1页共12页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共12页“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”课题申请指南一、指南说明“十一五”国家科技支撑计划重点项目《电力电子关键器件及重大装备研制》依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》的任务要求设置。此次发布的课题申请指南，重点支持研制IGBT、FRD及PEBB关键技术，中高压百MVA级链式及多电平变流器，电能质量复合控制技术，分布式供能系统高压变流器及软开关技术，铁路同相供电，机车牵引变流器，城市轨道牵引传动系统及能馈式牵引供电等。本项目拟支持7个课题，实施年限为3年。为充分调动各有关部门、地方政府、科研院所、大专院校和企业的主动性和积极性，促进科技资源优化配置，本项目采取公开申报方式择优选择课题承担单位。二、指南内容课题一新型电力电子器件及电力电子集成技术（一）研究目标研究和掌握IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、FRD（快恢复二极管）和全套设计技术、生产制造工艺技术、封装技术、试验和检测技术,可靠性和失效分析技术等，为我国电力电子装置提供有自主知识产权的IGBT系列器件。研究和掌握标准化和通用化的电力电子组件(PEBB)的设计和制造工艺技术、集成化的电力电子变流器和PEBB标准单元的设计和制造技术。（二）研究内容（申请课题须涵盖以下所有内容）1.IGBT芯片。研制出75A/1200～1700VIGBT，研制出100A/1200～1700VIGBT。2.FRD芯片。研制出75A/1200～1700VFRD，研制出100A/1200～1700VFRD。3.IGBT单管。研制出75A～100A1200VIGBT单管。4.FRD单管。研制出75A～100A1200VFRD单管。5.IGBT模块。研制出100A/1200～1700VIGBT模块，研制出400A/1200VIGBT模块。6.标准化和通用化的电力电子组件(PEBB)系列。1～500kW系列PEBB，5个规格。7.集成化PEBB系列。1～30kW集成化PEBB标准单元，3个规格。8.集成化电力电子变流器。100W、500W和1kW集成化DC-DC变换器。第2页共12页第1页共12页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共12页（三）考核指标研制出上述IGBT芯片、单管、模块各100只；FRD芯片、单管各100只。完成产品定型并通过可靠性试验：高温反偏、高温栅偏、温度循环、功率循环、温度和湿度试验。单管和模块用关键零部件国内生产配套；IGBT芯片、单管、模块主要技术参数达到目前国际同类产品水平；关键技术具有自主知识产权，申请国家发明专利、实用新型专利5项以上。研制出不少于5个规格的PEBB，每个规格2个样品，其中最大功率的PEBB不小于500kW。研制出不少于3个规格的集成化PEBB单元，每个规格不少于2个样品，其中最大功率的集成化PEBB不小于30kW。研制出100W、500W和1kW的高功率密度集成化DC-DC变换器各5个样品。制定出PEBB产品系列的行业或国家标准（报批稿），在PEBB的结构、工艺、集成和封装方面掌握具有自主知识产权的关键技术，申请国家发明专利、实用新型专利5项以上。主要技术参数：1.IGBT芯片和单管主要参数（典型值）规格电流反向阻断电压通态压降开通时间关断时间75A/1200V75A1200V1.8～3.5V200～350ns400～650ns100A/1200V100A1200V1.8～3.5V200～350ns400～650ns75A/1700V75A1700V2.0～4.0V200～350ns600～950ns100A/1700V100A1700V2.0～4.0V200～350ns600～950ns测试条件:静态参数测试温度为25℃，动态参数测试为125℃额定电流下。2.FRD芯片和单管主要参数（典型值）规格电流反向阻断电压正向压降反向恢复时间反向恢复电荷75A/1200V75A1200V1.8～3.0V200～500ns4～20uC100A/1200V100A1200V1.8～3.0V200～500ns4～20uC75A/1700V75A1700V2.0～3.5V400～700ns20～60uC100A/1700V100A1700V2.0～3.5V400～700ns20～60uC测试条件:静态参数测试温度为25℃，动态参数测试温度为125℃额定电流下。3.IGBT模块主要参数（典型值）规格电流反向阻断电压通态压降开通时间关断时间100A/1200～1700V100A1200～1700V2.0～4.0V200～350ns600～950ns400A/1200V400A1200V1.8～3.5V200～350ns400～650ns测试条件:静态参数测试温度为25℃，动态参数测试温度为125℃额定电流下。4.PEBB：第3...