第1页共9页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第1页共9页芯片级无铅CSP器件的底部填充材料概述:晶片级器件底部填充作为一种新工艺仍需进一步提高及优化,其工艺为:在晶片级器件制作过程中,晶圆底部加填充材料,这种填充材料在芯片成型时一步到位,免掉了外封装工艺,这种封装体积小,工艺简单,可谓经济实惠
然而,该新型封装器件面临一个严峻的考验,即:用于无铅焊接工艺
这就意味着:即要保证器件底部填充材料与无铅焊料的兼容,又要满足无铅高温焊接要求,保证焊接点的可靠性及生产产量
近期为无铅CSP底部填充研发了几种新型材料,这些填充材料滴涂到晶圆上,呈透明胶状(半液态)物质,经烘烤,呈透明状固态物质,这样分割晶圆时可保证晶片外形的完整性,不会出现晶片分层或脆裂
在这篇文章中,我们探讨一下烘烤对晶圆翘曲度的影响
烘烤是否引发底部填充材料的脆裂
以及回流过程中底部填充物的流动引起的焊料拖尾问题
因为底部填充材料即要保证焊料不拖尾,又要保证焊点的可靠性,及可观察到的焊料爬升角度,同时,底部填充材料的设计必须保证烘烤阶段材料的流动,固化情况处于可控工艺窗口之内
另外,底部填充材料与焊接材料的匹配标准在本文中也有讨论
关键词语:晶片,底部填充,表面贴装技术,倒插芯片,CSP封装,无铅,烘烤背景:FC及CSP封装器件要求底部填充材料在焊接过程中能够与焊球、PCB完美结合,增加焊点的抗疲劳能力
底部填充工艺方便、简单,将半液态填充材料施加在焊球与器件基板之间的间隙即可
对于节点尺寸大、I/O接口多的器件,填充材料的填充高度必须一致,实践证明:底部填充非常耗时,尤其FC封装器件,是大批量生产的瓶颈
晶片底部填充工艺(WLUF)首先是在大的晶圆上直接施加胶状(半液态)底部填充材料,然后大的晶圆经烘烤阶段(B-Stage)固化,使其失去粘性,最后,将大晶圆分割成晶片,切割好的晶