第1页共81页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共81页模拟电子技术教程第2页共81页第1页共81页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共81页一、绪论二、半导体二极管及其基本电路三、半导体三极管及放大电路四、场效应管放大电路五、功率放大电路六、集成电路运算放大器七、反馈放大电路八、信号的运算及处理电路九、信号产生电路十、直流稳压电源第3页共81页第2页共81页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共81页二、半导体二极管及其基本电路基本要求正确理解：PN结的形成及单向导电性熟练掌握：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数能够查阅电子器件相关手册难点重点1．ＰＮ结的形成（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。图（1）浓度差使载流子发生扩散运动（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。第4页共81页第3页共81页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共81页图（2）内电场形成（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是内电场将阻碍多子的扩散，二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，使空间电荷区变窄。（5）因此，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结处于动态平衡。2．ＰＮ结的单向导电性（1）外加正向电压（正偏）在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。（2）外加反向电压（反偏）在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。3.二极管的基本应用电路（1）限幅电路---利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成。第5页共81页第4页共81页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第5页共81页（2）箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。注：黑色---输入信号，蓝色---输出信号，波形为用ＥＷＢ仿真结果。内容提要：2.1半导体的基本知识1．半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。2．本征半导体（1）在0K时，本征半导体中没有载流子，呈绝缘体特性。（2）温度升高→热激发→共价键中价电子进入导带→自由电子+空穴。（3）两种载流子：导带中的自由电子，电荷极性为负；价带中挣脱共价键束缚的价电子所剩下的空穴，电荷极性为正。（4）热激发条件下，只有少数价电子挣脱共价键的束缚，进入导带形成电子空穴对，所以本征半导体导电率很低。3．杂质半导体（1）两种杂质半导体：Ｎ型---掺入微量五价元素；Ｐ型---掺入微量三...
