双开关正激转换器及其应用设计双开关正激转换器及其应用设计单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器,广泛用于需要大降压比的应用
这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管,及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等
但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构,且变压器需要磁芯复位,使这种转换器的最大占空比限制在约50%
此外,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关的漏电压变化达输入电压的两倍或更多,使这种拓扑结构较难于用在较高输入电压的应用
正激转换器中,变压器的磁芯单方向磁化,在每个开关周期都需要采用相应的措施来使磁芯复位到初始值,否则励磁电流会在每个开关周期增大,经历几个周期后会使磁芯饱和,损坏开关器件
相对而言,如果有磁芯复位,电流就不会在每个开关周期增大,电压会基于励磁电感(Lmag)反相并使磁芯复位
图1以单开关正激转换器为例,简要对比了无磁芯复位与有磁芯复位的电路图及励磁电感电流波形
有3种常见的标准磁芯复位技术,分别是三次绕组,电阻、电容、二极管(RCD)钳位和双开关正激
三次绕组磁芯复位技术的电路示意图参见图1b),这种技术能够提供大于50%的占空比,但开关Q1的峰值电压可能大于输入电压的2倍,而且变压器有三次绕组,使变压器结构更复杂
RCD钳位磁芯复位技术也能使占空比大于50%,但需要写等式和仿真,以检验复位的正确性,让设计过程更复杂
RCD钳位技术的成本比三次绕组技术低,但由于复位电路中的钳位电阻消耗能量,影响了电源转换效率
图1:正激转换器不带磁芯复位与带磁芯复位之对比
与前两种磁芯复位技术相比,双开关正激更易于实现,而且开关Q1上的峰值电压等于输入电压,降低了开关所承受的电压应力
这种技术需要额外的MOSFET(Q2)和高端驱动器,且需要2个高压低功率二极管(D3和D4),参见图2
双开关正激技术的每