(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN109932788A(43)申请公布日2019.06.25(21)申请号CN201711376044.4(22)申请日2017.12.19(71)申请人苏州旭创科技有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区霞盛路8号(72)发明人汤小虎庄睿汤卓恒(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)代理人沈晓敏(51)Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称高速信号传输组件及具有其的光模块(57)摘要本申请揭示了一种高速信号传输组件及具有其的光模块，高速信号传输组件包括光学组件、硅基板、位于所述硅基板相对两侧的高速信号线及参考地层，以及至少一过渡层，所述高速信号线与所述光学组件相电性连接，所述过渡层位于所述高速信号线的高速信号辐射区域内。本申请的技术方案通过添加过渡层的设计，提高基板高速信号线的带宽，实现高带宽的硅基封装高速光电器件的制造。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2019-07-19实质审查的生效实质审查的生效2019-06-25公开公开2022-02-25发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G02B6/42专利申请号:2017113760444申请公布日:20190625发明专利申请公布后的驳回权利要求说明书1.一种高速信号传输组件,其特征在于,包括光学组件、硅基板、位于所述硅基板相对两侧的高速信号线及参考地层,以及至少一过渡层,所述高速信号线与所述光学组件相电性连接,所述过渡层位于所述高速信号线的高速信号辐射区域内。2.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层位于所述高速信号线的下方。3.根据权利要求2所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述硅基板具有第一介电常数及第一介电损耗,所述过渡层具有第二介电常数及第二介电损耗,所述第二介电常数小于所述第一介电常数和/或所述第二介电损耗小于所述第一介电损耗。4.根据权利要求3所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层位于所述硅基板及所述高速信号线之间,和/或所述过渡层位于所述硅基板及所述参考地层之间,和/或所述过渡层夹设于所述硅基板中。5.根据权利要求4所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层的边缘与所述硅基板的边缘齐平。6.根据权利要求4所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层的表面积小于所述硅基板的表面积。7.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层为二氧化硅层。8.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述高速信号传输组件还包括位于所述高速信号线两侧的屏蔽层。9.根据权利要求1所述的高速信号传输组件,其特征在于,所述过渡层通过涂覆、外延、电镀或压合方式形成。10.一种光模块,其特征在于包括如权利要求1-9中任意一项所述的高速信号传输组件。说明书
技术领域本申请涉及光通信元件制造技术领域,尤其涉及一种高速信号传输组件及具有其的光模块。背景技术目前,在光通信中,高速链路传输速度已经从传统的1.25Gbps上升到10Gbps,再到单通道25Gbps。传输速率的增加要求传输链路的带宽不断增加,10Gbps信号要求有7GHz带宽,25Gbps信号要求带宽在21GHz。光模块在高速链路中存在多种载体,通常包括:1、硬质电路板(PCB),用于SMD元件的载体,与系统对接,成本低。2、柔性电路板(FPC),与PCB相类似,主要优点是可用于两个硬载体之间互连,可以吸收空间公差。3、气密封装管壳(CeramicBox),用于需要气密性要求高的器件封装,如光学组件,TEC,PD等。4、陶瓷基板,用于承载光电器件,其散热性好,加工精度高。5、硅基基板,用于承载半导体元器件,其加工工艺成熟,获取成本低,易实现低成本批量生产。目前,硅基光电子正以低成本、高集成的优势快速成长,迅速占有光电市场。市场上的高速硅基封装工艺,高速电信号常以焊接、打线或者倒装的形式由基板上的信号线引出,接到外部管脚或其它电路。硅基封装器件的高速性能主要受插损影响,插损值越大,信号的失真度越高,而且,随着信号的速率增加,从10G到25G应用,插损值也会随之快速增大。根据传输线理论,硅基封装器件内的走线的插损值与基板板材的介电常数、介电损耗等直接相关。硅基板的介电常数为11.7~12.9,介电损耗为0.02。常用的高速板材M6的介电常数为3.3~3.7,介电损耗...
