电子技术基础与技能测试题1.二极管加正向电压时（）立即导通超过击穿电压就导通超过0.2V就导通超过死区电压就导通(正确答案)2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。A、三价(正确答案)B、四价C、五价D、六价3.稳压二极管的正常工作状态是（）。A、导通状态B、截止状态C、反向击穿状态(正确答案)D、任意状态4.用万用表检测某二极管时，发现其正、反向电阻都很大，说明该二极管（）。A、已经击穿B、特性良好C、内部开路(正确答案)D、无法判断5.二极管正向导通时，硅管和锗管的正向压降约为（）A、0.3V和0.5VB、0.7V和0.3V(正确答案)C、0.5V和0.7VD、0.5V和0.3V6.P型半导体中的多数载流子是（）A、空穴(正确答案)B、自由电子C、离子D、多子7.三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）A、放大状态(正确答案)B、饱和状态C、截止状态D、任意状态8.用万用表测量二极管的极性时,万用表的量程应选择（）A.R×10K档B,R×10档C,R×100档或R×1K档(正确答案)D,R×1档9.N型半导体（）A、带正电B、带负电C、呈中性(正确答案)D、以上都有可能10.二极管加正向电压时，其导通后的正向电流（）A、几百微安B、几微安至几百毫安(正确答案)C、几毫安D、几安11.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）A.增大(正确答案)B.不变C.减小D、无法判断12.PN结形成后，它的最大特点是具有（）A、导电性B、绝缘性C、导通性D、单向导电性(正确答案)13.在晶体三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（）对应A、输入电压B、基极电压C、基极电流(正确答案)D、输出电压14.P型半导体是（）A、纯净半导体B、掺杂半导体(正确答案)C、绝缘体D、以上都不是15.共发射极放大电路的输出电压和输入电压在相位上的关系是（）A、同相位B、相差90°C、相差120°D、相差180°(正确答案)16.二极管的正极电位是−15V，负极电位是−8V，则二极管处于（）A、正偏B、反偏(正确答案)C、零偏D、以上都有可能17.PN结外加正向电压是指电源负极接在（）A、P型区B、N型区(正确答案)C、P型区或N型区D、以上说法都不对18.三极管内部有（）个PN结A、0B、1C、2(正确答案)D、319.三极管是（）控制器件A、电压B、电流(正确答案)C、电阻D、以上都不是20.在万用表测量二极管的过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的挡位测出的正向电阻值不同，主要原因是（）A、万用表在不同的挡位，其内阻不同(正确答案)B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管的质量差D、二极管已损坏21.三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为()A、基区(正确答案)B、栅区C、集电区D、发射区22.处于截止状态的三极管，其工作状态为（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏(正确答案)C、发射结正偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结正偏23.对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是()A、三极管可以把小能量放大成大能量B、三极管可以把小电流放大成大电流C、三极管可以把小电压放大成大电压D、三极管可用较小的电流控制较大的电流(正确答案)24.以下不是半导体的特性是（）A、热敏性B、光敏性C、掺杂性D、导电性(正确答案)25.三极管的发射极用字母（）表示A、bB、cC、e(正确答案)D、a26.三极管按内部结构不同可分为NPN型、()型。A、PNP(正确答案)B、PPNC、NNPD、NPP27.某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压()A、约为150VB、略大于150VC、约为75V(正确答案)D、约为300V28.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A、增大(正确答案)B、不变C、减小D、以上都不对29.二极管是线性元件。对错(正确答案)30.在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。对错(正确答案)31.二极管具有单向导电性。对(正确答案)错32.二极管的正向电阻比反向电阻大。（）对错(正确答案)33.发光二极管是一种将电信号转变成光信号的二极管。（）对(正确答案)错34.不同材料的二极管导通电压是一样的。对错(正确答案)35.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。对错(正确答案)36.硅和锗是制造半导体器件的主要材料（）。对(正确答案)错37.二极管加正向电压时一定导通。对错(正确答案)38.三极管的集电极和发射极可以互换使...
