单项选择题:(每一道题1分)第1章原子结构与键合1.高分子材料中的C-H化学键属于C。(A)氢键(B)离子键(C)共价键2.属于物理键的是B。(A)共价键(B)范德华力(C)氢键3.化学键中通过共用电子对形成的是A。(A)共价键(B)离子键(C)金属键第2章固体结构4.面心立方晶体的致密度为C。(A)100%(B)68%(C)74%5.体心立方晶体的致密度为B。(A)100%(B)68%(C)74%6.密排六方晶体的致密度为C。(A)100%(B)68%(C)74%7.以下不具有多晶型性的金属是A。(A)铜(B)锰(C)铁8.面心立方晶体的孪晶面是C。(A){112}(B){110}(C){111}9.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是C。(A)fcc(B)bcc(C)hcp10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?C(A)复合强化(B)弥散强化(C)细晶强化第3章晶体缺陷11.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?A(A)垂直(B)平行(C)交叉12.能进行攀移的位错必然是A。(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错13.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为B。(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷14.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为B(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错15.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是B(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金16.大角度晶界具有_________C___个自由度。(A)3(B)4(C)5第4章固体中原子及分子的运动17.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随B变化。(A)距离(B)时间(C)温度18.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为C。(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制19.原子扩散的驱动力是B。(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度word文档可自由复制编辑20.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则A。(A)A组元的扩散速率大于B组元(B)B组元的扩散速率大于A组元(C)A、B两组元的扩散速率相同21.下述有关自扩散的描述中正确的为C。(A)自扩散系数由浓度梯度引起(B)自扩散又称为化学扩散(C)自扩散系数随温度升高而增加22.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是B(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制第5章材料的形变和再结晶23.在弹性极限e范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为B(A)包申格效应(B)弹性后效(C)弹性滞后24.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是A(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向25.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,____C_____具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。(A)bcc(B)fcc(C)hcp26.A,位错滑移的派-纳力越小。(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C)相邻位错的距离越大27.已知Cu的Tm=1083C,则Cu的最低再结晶温度约为B。(A)200C(B)270C(C)350C28.已知Fe的Tm=1538C,则Fe的最低再结晶温度约为B。(A)350C(B)450C(C)550C29.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:A(A)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖的结果(C)位错密度降低的结果30.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______A________阶段。(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大31.再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着___B___________方向移动(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直32.纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核B(A)小角度晶界(B)孪晶界(C)外表面33.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在A。(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段34.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是A。(A)点缺陷的明显下降(B)形成亚晶界(C)位错重新运动和分布35.对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为C。word文档可自由复制编辑(A)晶界合并(B)晶界迁移...