第5讲MOS管的理论公式第一页,共三十六页
MOS管阈值电压的物理学定义定义使沟道中反型载流子浓度与衬底中多数载流子浓度相等时所需要的栅源电压定义为阈值电压
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推导阈值电压时的外部连接和内部状态源漏区都接地,沟道刚刚产生,厚度忽略
N+N+ABVGS=VTHN-VSBP衬底栅源漏+Q´b(正电荷与栅氧化层下方电荷相等)-Q´b(栅氧化层下方电荷)XdCD第三页,共三十六页
推导思路如何使栅氧化层与半导体接触面的表面势与衬底材料的静电势大小相等,方向(符号)相反
NMOS管的体(P型)的静电势为使表面势为-Vfp(正数)需要施加的栅源电压即阈值电压
iAfpifpnNqkTqEEVln第四页,共三十六页
推导阈值电压需考虑的各种因素考虑接触电势差和表面附加电荷多晶硅VGSiO2VOXP衬底Vfp金属金属栅体第五页,共三十六页
体接源极(VSB=0)时的公式VSB为0时的阈值电压公式oxssbfpmsTHNCQQVVV002其中Vms是多晶硅栅与体之间的电势差iAipolyDfpGmsnNqkTnNqkTVVVlnln,第六页,共三十六页
考虑体电位的阈值电压公式完整公式如下fpSBfpTHNTHNVVVVV220第七页,共三十六页
此公式对电路设计者的意义阈值电压与温度有关
阈值电压与体电位有关
阈值电压与工艺偏差有关
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研究阈值电压与温度的关系的文件*------例6:ST02工艺NMOS阈值电压分析------------*------------------------------------------------
optionpost=2$输出波形文件*---------------------------------------